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材料名称	材料名称（英文）	材料类型编号	信息来源(中文）	信息来源（英文）	材料描述	描述文件	材料描述（英文）	备注	录入人	审核人
Grade	Grade_E	Type Number	Information Source-C	Information Source-E	Description	Description File	Description-E	Remarks	keyboarder	Reviewer
阻容元件材料	resistor-capacitor materials	80010000	材料大辞典	Materials Comprehensive Dictionary	"电阻器和电容器所用的材料电容器主体材料包括介质材料(有机介质材料和无机介质材料);浸溃材料;电极材料电阻器主体材料包括电阻材料(非线绕电阻材料和线绕电阻材料);基体材料;电极材料等。电容器对材料的要求依电容器的类别及材料在电容器中的作用不同而有差异。以铝电解电容器为例说明对材料的要求，作为电容器阳极的铝箔要求具有较高的纯度，杂质总含量最多不超过0.05%。铝箔的表面损伤和缺陷应尽量少。电容器的阴极是工作电解液，质量要求高，其闪火电压应高干电容器的工作电压，其电阻率应尽可能地小，电解液的物理、化学及电化学的稳定性要好，纯度高，所含水分应尽可能地少。由于电路对电阻器的要求不同，因此电阻器的种类、结构和形状也各不相同，对材料的要求也不一样。如金属膜电阻器常用不同的合金成分和制造方法来改变阻值和电性能。要求阻值范围宽、耐热性好、电阻温度系数小、稳定性高等。电容器和电阻器是电子设备中的基础元件，如电阻器在一般电子仪器中约占元件总数的30%以上。"				杨敏	肖葵
电容器用铝箔	aluminium foil for capacitor	80020000	材料大辞典	Materials Comprehensive Dictionary	"用于电容器的由铝轧制而成的箔材。根据电容器的类型，可分为电容器用铝箔和电解电容器用铝箔。电容器用铝箔用作有机介质电容器电极，纯度要求达到99.5%以上。铝箔中的主要杂质为铁、铜和硅，其它杂质很少。杂质中铁的影响最大，因此铝箔中铁含量控制在。0.16~0.35%。铝箔厚度要均匀，箔卷展开时不应有粘结和撕裂。展开后的箔面不得有折叠。铝箔的可见针孔不得密集和成行，每平方米应少于300个。电解电容器用的阳极铝箔，除了上述的要求外，对纯度要求更高，纯度为99. 85~99. 99 %。铝箔厚度和宽度随供应状态不同而有所变化，退火状态的铝箔厚度为。0.030~0.050mm .宽度为10~1000mm ;硬态的铝箔厚度为0.060~ 0.100mm .宽度为90~1000mm。电解电容器铝箔的晶粒大小，不但影响铝箔的机械性能，而且影响极板面积的有效扩大倍数在高纯铝箔中加入0. 005~0.008%的柿，就能明显细化晶粒，使电容器体积明显缩小。含铈铝箔已用于电解电容器的制造。为了消除内应力和被扭曲的晶格，提高塑性，轧制后的铝箔需要进行退火处理。电解电容器铝箔的退火工艺是:低压箱为430℃左右，保温 1小时.断电后焖火1小时取出。高压箔为500 ℃左右，保温8小时，降温至300 ℃以下出炉。 "				杨敏	肖葵
金属化用锌和锡	zinc and tin for metallization	80030000	材料大辞典	Materials Comprehensive Dictionary	"指金属化电容器的电极蒸发材料锌和锡。锌是金属化纸介电容器的电极主体金属，所用锌锭的牌号有0号锌和1号锌。0号锌的纯度不小于99. 995%，杂质含量不大于(%):Pb0.003 , Fe0.001 ,Cd0.001 ,Cu0.001，杂质总和0.005。1号锌的纯度不小于99. 99%，杂质含量不大于(%):Pb0.005, Fe0.003, Cd0.002 ,Cu0.001,杂质总和0.01锡由于在空气中不氧化，水对它没有影响，稀酸对它的作用也很慢，锡用作金属的保护层。在金属化电容器的制造中，锡用作金属化的底层金属。采用锌作为金属化电容器的电极材料时，锡用作金属电极的底层。用作底层金属的锡锭有高级锡和特号锡。高级锡的纯度不小于99.99%，杂质含量不大于(%):As0.0007，Fe0.0025，Cu0.001,Pb0.0035,Bi0.0025，Sb0.002,S0.0005，杂质总量0.001。特号锡的纯度不小于99.95%，杂质含量不大于(%): As0.003,Fe0.004，Cu0.004，Pb0.025，Bi0.006，Sb0.0l，S0.001，杂质总和0.05。"				杨敏	肖葵
电容器用钽材	tantalum for capacitor	80040000	材料大辞典	Materials Comprehensive Dictionary	"用于钽电容器的钽材有钽箔、钽粉和钽丝。钽箔用于箔式电容器。钽粉用作烧结式电解电容器阳极，钽丝用作阳极的引出线电容器钽粉的主要评价指标是其纯度、粒形、粒度及其分布，它们随对电容器性能要求不同而变化电容器钽粉目前主要采用氟钽酸钾搅拌钠还原法生产。分为三个系列;高比容钽粉应用电压为6.3~25V，比电容为10000 ~ 30000μF?V/g;中压钽粉应用电压为32~40V，比电容为5000~ 7000μF?V /g ;高压钽粉应用电压为50~125V，比电容为500~1000μFV/g。一般用电子轰击氢化法生产。碳还原-高温烧结法生产的高压钮粉，可用于制造工作电压63V以上或可靠性要求高的固体钽电容器钮丝一般用真空烧结、电子束熔炼成钽锭，经加工成丝。对钽丝纯度要求高.钮丝抗氧脆性不少于4次，钽丝直径为0.25~0.8mm电容器钽箔必须用电容器用钽粉为原料来制造，其表面应平整光滑，厚度均匀。钽箔厚度有0.005~ 0.09mm等不同规格。 "				杨敏	肖葵
铌粉	niobium powder	80050000	材料大辞典	Materials Comprehensive Dictionary	"金属铌的粉末。主要用作制造铌电解电容器阳极。虽然其阳极氧化膜性能比钽差，但因其价格较低，因此可用于制造低压铌电解电容器。电容器级铌粉的质量如下:化学成分(%)C0.025,O20.025,N20.03.Si.Ni.W分别为0.005, Mo.Al, Mg, Ti, H2分别为0.005;电性能:比电容CV为3300~3600μF?V/g,漏电流K值为1 X 10-3μA/(μF?V)。其制取方法有:碳还原-氢化法;钠还原法;氢化法等。直接碳还原-氢化法是生产电容器级铌粉的主要方法。原料为工业纯Nb2O5，还原剂为石墨粉，混料后压成20 X 20 X 500mm条料，在立式石墨管状电阻炉内还原，升温至1800℃时，真空度达1. 3Pa后保温8小时，然后升温至1900℃，保温10小时，停电降温。当炉温降至800℃左右停泵通氢，在压力3~4X104Pa进行氢化，冷却后抽空，放气出炉。然后再进行捣碎、磨筛、脱氢、调制粒度。铌粉符合6.3~25V铌电解电容器的要求。铌电解电容器可用于步话机和一般的工业电器设备。"				杨敏	肖葵
电容器用钽铌合金	"tantalum-niobium alloy forcapacitor"	80060000	材料大辞典	Materials Comprehensive Dictionary	"钽铌合金丝用作制造电解薄膜电容器，也用作烧结钽电解电容器阳极的引线。铌含量低的钽合金如Ta-25Nb,Ta-l0Nb合金可代替部分钽丝，虽然其漏电流比纯钽丝大一些，但价格比钽丝便宜。直径0.3mrn的Tal0Nb, Ta25Nb的漏电流分别为(μA/cm2 ) : 0.133和0.l47。钽铌合金的制取方法为粉末冶金法，原料为高纯钽粉和铌粉。原料按要求比例混合后进行等静压挤压，把粉末压成直径44~46mm、长260~280mm的圆形件。然后在高真空烧结炉内进行烧结采用锻、锤、轧、拉丝使圆棒冷变形，最后用金刚石拉模拉成直径为0.8mm或0.3mm的丝材。经苛性钠腐蚀，再用稀HF, H2SO4, HNO3混合液酸洗，并在高真空中加热至1000℃，保温1时除去附着的氧化层。"				杨敏	肖葵
电容器用铝带	aluminium strip for capacitor	80070000	材料大辞典	Materials Comprehensive Dictionary	"铝加工而成的带材。用作可变电容器的极片。极片是可变电容器和微调电容器极为重要的部分，极片质量的好坏，直接影响到电容器的精度、工作稳定性、片与片之间的同步一致性等。铝带经冲裁加工可制成空气可变电容器的动片和定片或有机介质可变电容器的动片。铝板经精轧后冲成坯料，再用冷挤工艺将其挤压成筒形微调电容器的整体多圈电极。为保证电极尺寸精度和延长模具寿命，宜选用塑性好的一号工业纯铝，铝纯度为99.9%。"				杨敏	肖葵
电容器用铝合金带	aluminium alloy strip for capacitor	80080000	材料大辞典	Materials Comprehensive Dictionary	"铝合金加工而成的带材。铝合金带用于要求有一定强度的可变电容器极片。可采用的铝合金带有:(1)防锈铝合金带，其强度较高，特别是具有较高的抗疲劳强度，塑性和耐腐蚀性好。二号防锈铝的化学成分是(%);Cu0.10, Mgt2.0~2.8,Mn或Cr0.15~0.4,Fe0.40,Si0.4,Ti0. 15,A1余量。一般用二号防锈铝冲制有机介质可变电容器的动片;(2)电容器专用铝合金，铝纯度为98. 61%~99.03%。其它成分为(%):Cu0.1~0.2，Mg0.06~0.1,Mn0.03~0.06,Fe0.6~0.7,Si0.1~0.2,Zn0.08~0.13;(3)12号硬铝，其比重小，比强度高，适干制作极片较大的可变电容器。12号硬铝的化学成分为(%):Cu3.8~4.9,Mg1.2~1.8,Mn0.3~0.9,Fe0.5,Si0.50,Zn0.3，Ni0.1,Ti0.15,Fe+Si05., Al余量0 12号硬铝带的厚度为0.30~1.50mm。"				杨敏	肖葵
电容器用黄铜带	brass strip for capacitor	80090000	材料大辞典	Materials Comprehensive Dictionary	"铜锌合金加工而成的带材。其机械强度比纯铜高，价格也较纯铜便宜。用黄铜带制造的可变电容器极片与铝质极片相比，虽然比重较大，抗蚀性较差，但电阻小，有良好的导电和机械性能，同时还有易焊和膨胀系数小的优点，且容量温度稳定性也较好。可变电容器极片用黄铜带主要有两种:（1）H68黄铜带，具有很好的塑性，适宜于拉伸加工成直径和壁厚均有较高精度的圆筒形电极，多用作微调电容器电极材料;(2)H62黄铜带，多用作平板型极片。电容器专用黄铜带的宽度有100~300mm、厚度0.l~0.53mm等各种规格。"				杨敏	肖葵
无氧铜板和铜带	"oxygen-free copper plate tendcopper strip"	80100000	材料大辞典	Materials Comprehensive Dictionary	"纯度高、含氧量极少的一种紫铜材料无氧铜具有导电、导热性能好，易加工、易焊接的优点。氧是上要的杂质元素之一，国家标准规定，1号无氧铜的氧含量为。0.003%。无氧铜主要有两种规格:(1)纯度不小于99.97%,杂质含量不大于(%):Bi0.002、Sb0.002、As 0.002、Fe0.005、Ni0.002、Pb0.005、Sn0.002、S0.005 、P0.003、Zn0.003;( 2)纯度不小干99.95%，杂质含量不大于(%):Bi,Sb,As,Ni,Sn各为0.002,Fe,S,Pb各为0.005,P,Zn各为0.003。无氧铜板和铜带用作真空固定电容器和可变电容器的电极材料经加工制成直径和壁厚均有较高精度的圆筒形电极。也可用来制造动子盘、定子盘、联结圈等零件。"				杨敏	肖葵
薄膜介质材料	film dielectric materials	80110000	材料大辞典	Materials Comprehensive Dictionary	"由各种电介质制成的薄膜材料。在混合集成电路中，用作薄膜电容器的介质、薄膜电阻器和薄膜电阻网络的保护层以及多层布线的隔离层。在不同的使用场合，对介质薄膜的要求是不同的。如电容器介质薄膜要求具有稳定性、优良的电特性和生产性。根据电路对薄膜电容器的要求，介质薄膜可分为两类:(1)低损耗低介电常数薄膜，主要有SiO和SiO2;(2)高介电常数薄膜，主要是钽基介质薄膜，如Ta2O5薄膜介电常数约为25。还有氧化钛介质薄膜等，氧化钛有高的介电常数(31~173)。在薄膜混合电路生产中，常用加热蒸发、电子束蒸发、阳极氧化、磁控溅射分别制备SiO, SiO2,Ta2O5,TiO2介质薄膜。但也可采用化学气相沉积法和热生长法制备。"				杨敏	肖葵
一氧化硅薄膜	SiO film	80120000	材料大辞典	Materials Comprehensive Dictionary	"SiO是黑褐色无定形固体材料，纯度为99.99%。SiO薄膜主要用于薄膜电容器，还可作为薄膜电阻器的保护膜。SiO薄膜介电常数为5，做成电容器的比容可达40~100pF/mm2，其电容温度系数TCC=(40~400)ppm/℃，介电损耗tgδ=(1~4)%,耐压强度为1Xl06V/cm，它的介电性能与制作条件有关。SiO薄膜的制备方法主要用真空蒸发法，真空度为(1 ~3 )X10-3X1.333Pa ,蒸发温度为1000~1600℃，基片温度约为200℃。为了减少蒸发过程中SiO的飞溅，采用烟囱式蒸发源，可以防止SiO颗粒飞溅到基片上造成针孔降低薄膜的击穿电压，提高成品率。为了提高比容、降低损耗，减少短路，向SiO膜中掺入B2O3、Al2O3与SiO2混合物。掺入10%(wt)B2O3，薄膜的工艺性能及电气性能为最佳。掺Al2O3和SiO2混合物，可提高比容和绝缘电阻。混合物中SiO2含量为91.8%，Al2O3为8.2%。混合物按一定重量比与SiO和B2O3均匀混合，其比例为SiO:混合料:B2O3 =9:9:1然后放入钽加热器中蒸发。"				杨敏	肖葵
二氧化硅薄膜	SiO2 film	80130000	材料大辞典	Materials Comprehensive Dictionary	"由SiO2制成的薄膜介电材料薄膜具有介电性能稳定、耐潮性好、温度系数较小、介电损耗小等优点。用SiO2薄膜制成电容器性能为:ε=3.67~3.70, tgcδ为<2X10-4，TCC＜6ppm/℃。击穿电压750V。二氧化硅薄膜的制备方法主要有真空淀积法和热氧化生长法真空沉积法通常采用电子束蒸发和射频溅射。电子束蒸发时将SiO2粉末经1200℃预烧成一定尺寸的小片，再用电子束蒸发，即可制备无定形结构的SiO2薄膜。射频溅射以高纯SiO2(99.99%)石英玻璃作靶，溅射的电源频率为13.56MHz，典型的溅射条件是:溅射速率为20~50nm/min,基片温度在200 ℃以下，氢气压力为0.1333Pa左右，氧分压为3%。溅射电压1.5~2kV。热氧化生长SiO2膜是将抛光过的硅片在高温下置于氧气或水汽等氧化性气氛中，在硅片表面生成SiO2薄膜。在混合集成电路中，SiO2薄膜广泛用于薄膜电容器，并作电阻器和电阻网络保护层以及薄膜多层布线的隔离层。"				杨敏	肖葵
钽基介质薄膜	tantalum base dielectric film	80140000	材料大辞典	Materials Comprehensive Dictionary	"以钽为基用溅射等方法在基片上淀积的薄膜材料。钽基介质薄膜主要有:Ta2O5薄膜;掺杂钽基介质薄膜如掺氮的钽膜、钽铝合金薄膜、钽硅薄膜;钽基复合介质薄膜如Ta2O5-SiO薄膜、Ta2O5-SiO2薄膜、Ta2O5-PbO3复合膜等。Ta2O5是一种优良的介质薄膜，其介电常数约为25。掺氮的钽基介质薄膜有较好的介电性能。钽铝介质薄膜铝原子含量为0.01~20%时，具有较高的阴极击穿电压。担基复合介质薄膜如Ta2O5~SiO薄膜是由Ta2O5与SiO两层复合而成的介质薄膜。虽然在两层中各层都有缺陷，但两层缺陷重合的可能性很小在相当大程度上消除了缺陷的影响，使薄膜电容器成品率提高，可靠性改善。钽基介质薄膜的制造方法有:阳极氧化法;反应溅射法;直接溅射法;等离子阳极氧化等，目前常用的是阳极氧化法。钽基介质薄膜在混合集成电路中主要用来制作薄膜电容器。 "				杨敏	肖葵
氧化钛介质薄膜	titanium oxide dielectric film	80150000	材料大辞典	Materials Comprehensive Dictionary	"由氧化钛制成的介质薄膜材料。氧化钛具有较高的介电常数。氧化钛各种同素异形体的介电常数变化很大，金红石相对介电常数为86 （a轴向）、1750（c轴向)，板钛矿的为78，锐钛矿的为31氧化钛薄膜的制备方法主要有:(1)阳极氧化法，薄膜的相对介电常数为40;(2)反应溅射法，薄膜电容器的比容0.3μF/cm2，相对介电常数(平均)60; (3)热氧化法，首先在高真空度、基片温度为150 ℃下，将纯度99.9%的钛丝蒸发，然后在空气中用电炉把作成的钛膜进行热氧化(500~600 ℃, 20~30h)制得透明的黄色(或粉红色)氧化钛薄膜。该介质薄膜用于制作混合电路用的薄膜电容器以及氧化钛二极管等。"				杨敏	肖葵

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化学成分表

材料名称	材料名称（英文）	材料类型编号	成分	元素表示方法	信息来源(中文）	信息来源（英文）	备注	录入人	审核人
Grade	Grade_E	Type Number	Components	Element representation	Information Source-C	Information Source-E	Remarks	keyboarder	Reviewer
电容器用铝箔	aluminium foil for capacitor	80020000	纯度要求达到99.5%以上;主要杂质为铁、铜和硅，其它杂质很少。杂质中铁的影响最大，因此铝箔中铁含量控制在0.16～0.35%		材料大辞典	Materials Comprehensive Dictionary		缪友萍	张深根
金属化用锌和锡	zinc and tin for metallization	80030000	锌锭的牌号有0号锌和1号锌。0号锌的纯度不小于99.995%，杂质含量不大于(%):Pb0.003,Fe0.001,Cd0.001,Cu0.001杂质总和0.005。1号锌的纯度不小于99.99%，杂质含量不大于(%):Pb0.005,Fe0.003,Cd0.002,Cu0.001,杂质总和0.01。		材料大辞典	Materials Comprehensive Dictionary		缪友萍	张深根
电容器用钽材	tantalum for capacitor	80040000	钽箔用于箔式电容器;钽粉用作烧结式电解电容器阳极;钽丝用作阳极的引出线电容器		材料大辞典	Materials Comprehensive Dictionary		缪友萍	张深根
铌粉	niobium powder	80050000	C:0.025%,O2:0.025%,N2:0.03%,Si、Ni、W均为0.005%,Mo、Al、Mg、Ti、H2均为0.005%		材料大辞典	Materials Comprehensive Dictionary	1×10-3μA/(μF?V)	缪友萍	张深根
电容器用钽铌合金	tantalum-niobium alloy for capacitor	80060000	铌含量低的钽合金如Ta25Nb、Tal0Nb合金可代替部分钽丝		材料大辞典	Materials Comprehensive Dictionary		缪友萍	张深根
电容器用铝带	aluminium strip for capacitor	80070000	铝纯度为99.9%		材料大辞典	Materials Comprehensive Dictionary		缪友萍	张深根
电容器用铝合金带	aluminium alloy strip for capacitor	80080000	12号硬铝：Cu：3.8%～4.9%,Mg：1.2%～1.8%,Mn：0.3%～0.9%,Fe：0.5%,Si：0.50%,Zn：0.3%。Ni：0.1%,Ti：0.15%,Fe+Si：0.5%, Al余量		材料大辞典	Materials Comprehensive Dictionary		刘阳	张深根
电容器用铝合金带	aluminium alloy strip for capacitor	80080000	二号防锈铝合金：Cu：0.10%,Mg：2.0%～2.8%,Mn或Cr：0.15%～0.4%,Fe：0.40%,Si：0.4%,Ti：0.15%,A1余量；电容器专用铝合金：铝纯度为98.61%～99.03%，Cu：0.1%～0.2%，Mg：0.06%～0.1%,Mn：0.03%～0.06%,Fe：0.6%～0.7%,Si：0.1%～0.2%,Zn：0.08%～0.13%		材料大辞典	Materials Comprehensive Dictionary		缪友萍	张深根
电容器用黄铜带	brass strip for capacitor	80090000			材料大辞典	Materials Comprehensive Dictionary		刘阳	张深根
无氧铜板和铜带	oxygen-free copper plate tend copper strip	80100000	纯度高、含氧量极少，1号无氧铜的氧含量为0.003%。主要有两种规格:(1)纯度不小于99.97%,杂质含量不大于(%):Bi：0.002、Sb：0.002、As：0.002、Fe：0.005、Ni：0.002、Pb：0.005、Sn：0.002、S：0.005 、P：0.003、Zn：0.003；( 2)纯度不小于99.95%，杂质含量不大于(%):Bi、Sb、As、Ni、Sn各为0.002,Fe、S、Pb各为0.005,P、Zn各为0.003。		材料大辞典	Materials Comprehensive Dictionary		刘阳	张深根
一氧化硅薄膜	SiO film	80120000	纯度为99.99%。		材料大辞典	Materials Comprehensive Dictionary		缪友萍	张深根
二氧化硅薄膜	SiO2 film	80130000	纯度为99.99%		材料大辞典	Materials Comprehensive Dictionary		缪友萍	张深根
钽基介质薄膜	tantalum base dielectric film	80140000	Ta2O5薄膜；掺杂钽基介质薄膜:掺氮的钽膜、钽铝合金薄膜、钽硅薄膜；钽基复合介质薄膜:Ta2O5-SiO薄膜、Ta2O5-SiO2薄膜、Ta2O5-PbO3复合膜		材料大辞典	Materials Comprehensive Dictionary		缪友萍	张深根
氧化钛介质薄膜	titanium oxide dielectric film	80150000			材料大辞典	Materials Comprehensive Dictionary		缪友萍	张深根
氧化钇介质薄膜	yttrium oxide dielectric film	80160000	高频溅射法制备的薄膜纯度为99.99%		材料大辞典	Materials Comprehensive Dictionary		缪友萍	张深根

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生产工艺表

材料名称	材料名称（英文）	材料类型编号	信息材料制备方法	信息来源(中文）	信息来源（英文）	备注	录入人	审核人
Grade	Grade_E	Type Number	technology	Information Source-C	Information Source-E	Remarks	keyboarder	Reviewer
电容器用铝箔	aluminium foil for capacitor	80020000	由铝轧制而成。电解电容器铝箔的退火工艺是:低压箱为430℃左右，保温 1小时.断电后焖火1小时取出。高压箔为500 ℃左右，保温8小时，降温至300 ℃以下出炉。	材料大辞典	Materials Comprehensive Dictionary		杨敏
电容器用钽材	tantalum for capacitor	80040000	电容器钽粉目前主要采用氟钽酸钾搅拌钠还原法生产。钽丝一般用真空烧结、电子束熔炼成钽锭，经加工成丝。	材料大辞典	Materials Comprehensive Dictionary		杨敏
铌粉	niobium powder	80050000	其制取方法有:碳还原-氢化法;钠还原法;氢化法等。直接碳还原-氢化法是生产电容器级铌粉的主要方法。原料为工业纯Nb2O5，还原剂为石墨粉，混料后压成20 X 20 X 500mm条料，在立式石墨管状电阻炉内还原，升温至1800℃时，真空度达1. 3Pa后保温8小时，然后升温至1900℃，保温10小时，停电降温。当炉温降至800℃左右停泵通氢，在压力3~4X104Pa进行氢化，冷却后抽空，放气出炉。然后再进行捣碎、磨筛、脱氢、调制粒度。	材料大辞典	Materials Comprehensive Dictionary		杨敏
电容器用钽铌合金	"tantalum-niobium alloy forcapacitor"	80060000	钽铌合金的制取方法为粉末冶金法，原料为高纯钽粉和铌粉。原料按要求比例混合后进行等静压挤压，把粉末压成直径44~46mm、长260~280mm的圆形件。然后在高真空烧结炉内进行烧结采用锻、锤、轧、拉丝使圆棒冷变形，最后用金刚石拉模拉成直径为0.8mm或0.3mm的丝材。经苛性钠腐蚀，再用稀HF, H2SO4, HNO3混合液酸洗，并在高真空中加热至1000℃，保温1时除去附着的氧化层。	材料大辞典	Materials Comprehensive Dictionary		杨敏
电容器用铝带	aluminium strip for capacitor	80070000	铝板经精轧后冲成坯料，再用冷挤工艺将其挤压成筒形微调电容器的整体多圈电极。为保证电极尺寸精度和延长模具寿命，宜选用塑性好的一号工业纯铝，铝纯度为99.9%。	材料大辞典	Materials Comprehensive Dictionary		杨敏
薄膜介质材料	film dielectric materials	80110000	在薄膜混合电路生产中，常用加热蒸发、电子束蒸发、阳极氧化、磁控溅射分别制备SiO, SiO2,Ta2O5,TiO2介质薄膜。但也可采用化学气相沉积法和热生长法制备。	材料大辞典	Materials Comprehensive Dictionary		杨敏
一氧化硅薄膜	SiO film	80120000	SiO薄膜的制备方法主要用真空蒸发法，真空度为(1 ~3 )X10-3X1.333Pa ,蒸发温度为1000~1600℃，基片温度约为200℃。为了减少蒸发过程中SiO的飞溅，采用烟囱式蒸发源，可以防止SiO颗粒飞溅到基片上造成针孔降低薄膜的击穿电压，提高成品率。为了提高比容、降低损耗，减少短路，向SiO膜中掺入B2O3、Al2O3与SiO2混合物。掺入10%(wt)B2O3，薄膜的工艺性能及电气性能为最佳。掺Al2O3和SiO2混合物，可提高比容和绝缘电阻。混合物中SiO2含量为91.8%，Al2O3为8.2%。混合物按一定重量比与SiO和B2O3均匀混合，其比例为SiO:混合料:B2O3 =9:9:1然后放入钽加热器中蒸发。	材料大辞典	Materials Comprehensive Dictionary		杨敏
二氧化硅薄膜	SiO2 film	80130000	二氧化硅薄膜的制备方法主要有真空淀积法和热氧化生长法真空沉积法通常采用电子束蒸发和射频溅射。电子束蒸发时将SiO2粉末经1200℃预烧成一定尺寸的小片，再用电子束蒸发，即可制备无定形结构的SiO2薄膜。射频溅射以高纯SiO2(99.99%)石英玻璃作靶，溅射的电源频率为13.56MHz，典型的溅射条件是:溅射速率为20~50nm/min,基片温度在200 ℃以下，氢气压力为0.1333Pa左右，氧分压为3%。溅射电压1.5~2kV。热氧化生长SiO2膜是将抛光过的硅片在高温下置于氧气或水汽等氧化性气氛中，在硅片表面生成SiO2薄膜。	材料大辞典	Materials Comprehensive Dictionary		杨敏
钽基介质薄膜	tantalum base dielectric film	80140000	钽基介质薄膜的制造方法有:阳极氧化法;反应溅射法;直接溅射法;等离子阳极氧化等，目前常用的是阳极氧化法。	材料大辞典	Materials Comprehensive Dictionary		杨敏
氧化钛介质薄膜	titanium oxide dielectric film	80150000	氧化钛薄膜的制备方法主要有:(1)阳极氧化法，薄膜的相对介电常数为40;(2)反应溅射法，薄膜电容器的比容0.3μF/cm2，相对介电常数(平均)60; (3)热氧化法，首先在高真空度、基片温度为150 ℃下，将纯度99.9%的钛丝蒸发，然后在空气中用电炉把作成的钛膜进行热氧化(500~600 ℃, 20~30h)制得透明的黄色(或粉红色)氧化钛薄膜。	材料大辞典	Materials Comprehensive Dictionary		杨敏
氧化钇介质薄膜	yttrium oxide dielectric film	80160000	Y2O3薄膜的制备方法有四种:(1)电子束放发法，制成的Y2O3薄膜为多晶膜;(2)阳极氧化法，在忆膜表面形成Y2O3薄膜，若基片可浸入电解液。由于阳极氧化形成氧化膜很快（5nm/s）,制出的氧化膜性能优良;(3)反应溅射法，用钇靶在氩和氧的混合气体中直流溅射;(4)高频溅射法，高频溅射用的Y2O3靶为圆形或方形，视溅射设备电极结构而定、纯度为99.99%。此法的优点是薄膜的损耗角和容量温度系数都较小。	材料大辞典	Materials Comprehensive Dictionary		杨敏
钛酸钡薄膜	barium titanate film	80170000	溅射靶是由BaCO3和TiO2在高温下(1400℃)生成的BaTiO3，再经研磨成粉末、压成圆片、烧结而成。基片用铂片，在基片温度为20~1000℃下沉积，然后在1400℃、大气中进行热处理，其介电常数可达1580~1700。	材料大辞典	Materials Comprehensive Dictionary		杨敏
氮化硅薄膜	silicon nitride film	80180000	氮化硅薄膜的制备方法主要有两种:（1)化学气相沉积法，一般用SiH4-NH3-H2系或SiCl4-NH3-H2系气相反应生成Si3N4薄膜:(2)射频溅射法。	材料大辞典	Materials Comprehensive Dictionary		杨敏
介质薄膜	dielectric film-miscellaneous	80190000	有机聚合物薄膜的制备方法有:(1)将聚合物的溶液摊开，然后将溶剂挥发，制得介质薄膜;(2)将有机单体摊开，而后加热或用紫外线使其聚合。	材料大辞典	Materials Comprehensive Dictionary		杨敏
薄膜电阻材料	film resistor materials	80200000	薄膜电阻材料的制备方法主要有真空电阻蒸发法、电子束蒸发法、溅射法等。	材料大辞典	Materials Comprehensive Dictionary		杨敏

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加工性能表

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加工性能编号表

加工性能名称	加工性能名称（英文）	加工性能编号	定义（描述）	单位	备注	录入人	审核人
Grade	Grade_E	No.Processing performance	Definition	Unit	Remarks	keyboarder	Reviewer
切削加工性能	CuttingPerformance	001	切削加工信息材料材料的难易程度			缪友萍	张深根
热处理性能	Heat Treatment Properties	002	对固态金属或合金采用适当方式加热、保温和冷却，以获得所需要的组织结构与性能的能力			缪友萍	张深根
铸造性能	Casting performance	003	反映信息材料浇注成铸件时反映出来的难易程度的性能			缪友萍	张深根
焊接性能	Welding performance	004	把两块信息材料局部加热并使其接缝部分迅速呈熔化或半熔化状态，从而使之牢固地联接起来，而不发生裂纹的性能			缪友萍	张深根
锻造性能	Forged Performance	005	把两块信息材料局部加热并使其接缝部分迅速呈熔化或半熔化状态，从而使之牢固地联接起来，而不发生裂纹的性能			缪友萍	张深根
弯曲性能	Bending properties	006	是指材料在常温下承受弯曲变形的能力			缪友萍	张深根
导电性能	Electrical Conductivity	007	物体导电的能力。一般来说金属、半导体、电解质和一些非金属都可以导电。非电解质物体导电的能力是由其原子外层自由电子数以及其晶体结构决定的。			刘一凡	张深根
导热性能	Thermal Conductivity	008	物质传导热量的性能称为导热性。一般说导电性好的材料，其导热性也好。	W/（m?K）		刘一凡	张深根
延展性	Ductility	009	延展性是物质的物理属性之一，它指可锤炼可压延程度.易锻物质不需退火可锤炼可压延.可锻物质,则需退火进行锤炼和压延.脆性物质则在锤炼后压延程度显得较差.			刘一凡	张深根
析晶性	Crystallization properties	010	析晶，是当物体在处于非平衡态时，会析出另外的相，该相以晶体的形式被析出。			刘一凡	张深根

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单质信息材料基本性能表

材料名称	材料名称（英文）	材料类型编号	化学成分/纯度	符号	序号	系列	族	周期	元素分区	密度（g/cm3）	硬度（HV）	颜色	外表	地壳含量（%）	原子量	原子半径（pm）	共价半径（pm）	范德华半径（pm）	价电子排布	电子在每能级的排布	氧化价	晶体结构	物质状态	熔点（℃）	沸点（℃）	摩尔体积（m3/mol）	汽化热（kJ/mol）	熔化热（kJ/mol）	蒸汽压（Pa）	声速（m/s）	电负性（鲍林标度）	比热容量（J/(kg*K)）	电导率(/米欧姆)	第一电能（kJ/mol）	第二电能（kJ/mol）	第三电能（kJ/mol）	第四电能（kJ/mol）	最稳定的同位素	电阻率（Ω*m）	信息来源（中文）	信息来源（英文）	备注	录入人	审核人
Grade	Grade_E	Type Number	Purity	Symbol	Number	Element Category	Group	Period	Block	Density	Hardness	Color	Appearance	Crustal Levels	Standard Atomic Weight	Atomic Radius	Covalent Radius	Van der Waals Radius	Electron Configuration	Electrons per Shell	Oxidation States	Crystal Structure	Phase	Melting Point	Boiling point	Molar Volume	Heat of Vaporization	Melting Heat	Vapor Pressure	Sound Velocity	Electronegativity	Specific Heat Capacity	Conductivity	The First Power	The Second Power	The Third Power	The Fourth Power	Most Stable Isotope	Resistivity	Information Source-C	Information Source-E	Remarks	keyboarder	Reviewer
电容器用铝箔	aluminium foil for capacitor	80020000	纯度要求达到99.5%以上;主要杂质为铁、铜和硅，其它杂质很少。杂质中铁的影响最大，因此铝箔中铁含量控制在0.16～0.35%																				固态																	材料大辞典	Materials Comprehensive Dictionary		缪友萍	张深根
金属化用锌和锡	zinc and tin for metallization	80030000	锌锭的牌号有0号锌和1号锌。0号锌的纯度不小于99.995%，杂质含量不大于(%):Pb0.003,Fe0.001,Cd0.001,Cu0.001杂质总和0.005。1号锌的纯度不小于99.99%，杂质含量不大于(%):Pb0.005,Fe0.003,Cd0.002,Cu0.001,杂质总和0.01。																				固态																	材料大辞典	Materials Comprehensive Dictionary		缪友萍	张深根
电容器用钽材	tantalum for capacitor	80040000	钽箔用于箔式电容器																																					材料大辞典	Materials Comprehensive Dictionary		缪友萍	张深根
电容器用钽材	tantalum for capacitor	80040000	钽丝用作阳极的引出线电容器																																					材料大辞典	Materials Comprehensive Dictionary		缪友萍	张深根
电容器用钽材	tantalum for capacitor	80040000	钽粉用作烧结式电解电容器阳极，																																					材料大辞典	Materials Comprehensive Dictionary		缪友萍	张深根
铌粉	niobium powder	80050000	C:0.025%,O2:0.025%,N2:0.03%,Si、Ni、W均为0.005%,Mo、Al、Mg、Ti、H2均为0.005%																																					材料大辞典	Materials Comprehensive Dictionary	1×10-3μA/(μF?V)	缪友萍	张深根
电容器用钽铌合金	tantalum-niobium alloy for capacitor	80060000	铌含量低的钽合金如Ta25Nb、Tal0Nb合金可代替部分钽丝																																					材料大辞典	Materials Comprehensive Dictionary		缪友萍	张深根
电容器用铝带	aluminium strip for capacitor	80070000	铝纯度为99.9%																																					材料大辞典	Materials Comprehensive Dictionary		缪友萍	张深根
电容器用铝合金带	aluminium alloy strip for capacitor	80080000	二号防锈铝合金：Cu：0.10%,Mg：2.0%～2.8%,Mn或Cr：0.15%～0.4%,Fe：0.40%,Si：0.4%,Ti：0.15%,A1余量																																					材料大辞典	Materials Comprehensive Dictionary		缪友萍	张深根
电容器用铝合金带	aluminium alloy strip for capacitor	80080000	电容器专用铝合金：铝纯度为98.61%～99.03%，Cu：0.1%～0.2%，Mg：0.06%～0.1%,Mn：0.03%～0.06%,Fe：0.6%～0.7%,Si：0.1%～0.2%,Zn：0.08%～0.13%																																					材料大辞典	Materials Comprehensive Dictionary		缪友萍	张深根
电容器用铝合金带	aluminium alloy strip for capacitor	80080000	12号硬铝：Cu：3.8%～4.9%,Mg：1.2%～1.8%,Mn：0.3%～0.9%,Fe：0.5%,Si：0.50%,Zn：0.3%。Ni：0.1%,Ti：0.15%,Fe+Si：0.5%, Al余量																																					材料大辞典	Materials Comprehensive Dictionary		刘阳	张深根
电容器用黄铜带	brass strip for capacitor	80090000																															良好的导电性						电阻小	材料大辞典	Materials Comprehensive Dictionary		刘阳	张深根
无氧铜板和铜带	oxygen-free copper plate tend copper strip	80100000	纯度高、含氧量极少，1号无氧铜的氧含量为0.003%。主要有两种规格:(1)纯度不小于99.97%,杂质含量不大于(%):Bi：0.002、Sb：0.002、As：0.002、Fe：0.005、Ni：0.002、Pb：0.005、Sn：0.002、S：0.005 、P：0.003、Zn：0.003；( 2)纯度不小于99.95%，杂质含量不大于(%):Bi、Sb、As、Ni、Sn各为0.002,Fe、S、Pb各为0.005,P、Zn各为0.003。																														导电性能好							材料大辞典	Materials Comprehensive Dictionary		刘阳	张深根

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化合物信息材料基本性能表

材料名称	材料名称（英文）	材料类型编号	符号	密度(g/cm3)	熔点(℃)	沸点(℃)	晶体结构	物质状态	蒸汽压(KPa)	颜色	原子量	比热容（J/(kg*K)）	热导率（W(m-1)(K-1)）	电导率(/米欧姆)	电负性（鲍林标度）	比电阻（Ω*cm）	超导性	硬度（HV）	强度（MPa）	塑性（%）	杨氏模量（MPa）	刚性系数	体积弹性模量（MPa）	弹性系数	疲劳极限(Nf)	冲击韧性(J/cm2)	耐腐蚀性	耐氧化性	声速（m/s）	信息来源（中文）	信息来源（英文）	备注	录入人	审核人
Grade	Grade_E	Type Number	Symbol	Density	Melting point	Boiling point	Crystal structure	Phase	Vapor pressure	Color	Standard Atomic Weight	Specific Heat Capacity	Thermal Conductivity	Conductivity	Electronegativity	Specific Resistance	Superconductivity	Hardness	Strength	Plastic	Young's Modulus	Stiffness Coefficient	Bulk Modulus	Elasticity	Fatigue Limit	Toughness	Corrosion Resistance	Oxidation Resistance	Sound Velocity	Information Source-C	Information Source-E	Remarks	keyboarder	Reviewer
一氧化硅薄膜	SiO film	80120000	SiO					固态		黑褐色		40～100pF/mm2																			材料大辞典	Materials Comprehensive Dictionary		缪友萍
二氧化硅薄膜	SiO2 film	80130000	SiO2																												材料大辞典	Materials Comprehensive Dictionary		缪友萍
钽基介质薄膜	tantalum base dielectric film	80140000																													材料大辞典	Materials Comprehensive Dictionary		缪友萍
氧化钛介质薄膜	titanium oxide dielectric film	80150000																													材料大辞典	Materials Comprehensive Dictionary		缪友萍
氧化钇介质薄膜	yttrium oxide dielectric film	80160000	Y2O3				体心立方	粉末		白色																					材料大辞典	Materials Comprehensive Dictionary		缪友萍
钛酸钡薄膜	barium titanate film	80170000	BaTiO3																												材料大辞典	Materials Comprehensive Dictionary		缪友萍
氮化硅薄膜	silicon nitride film	80180000	Si3N4																												材料大辞典	Materials Comprehensive Dictionary		缪友萍
镍铬薄膜	nickel-chromium film	80210000			1400℃												108μΩ?cm；电阻温度系数为85～120ppm/℃；线膨胀系数为14×10-6/℃;使方阻扩大，稳定性提高，电阻温度系数减少														材料大辞典	Materials Comprehensive Dictionary		缪友萍
金属陶瓷电阻薄膜	metallic ceramic resistance film	80220000															方阻为500～3kΩ/口，电阻温度系数小于100ppm/℃;电阻温度系数较小、稳定性高														材料大辞典	Materials Comprehensive Dictionary		缪友萍
铬硅电阻薄膜	chromium-silicon resistance film	80230000																													材料大辞典	Materials Comprehensive Dictionary		缪友萍
钽基介质薄膜	tantalum base dielectric film	80240000																													材料大辞典	Materials Comprehensive Dictionary		缪友萍
PTC热敏电阻材料	PTC thermistor materials	80300000															ρ20℃=3Ω?cm～1000kΩ?cm;ρ20℃=1～3kΩ?cm，可达到阻值为50μΩ～0.2Ω														材料大辞典	Materials Comprehensive Dictionary		缪友萍

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特殊性能表

材料名称	材料名称（英文）	材料类型编号	特殊性能	特殊性能编号	描述	单位	信息来源(中文）	信息来源（英文）	备注	录入人	审核人
Grade	Grade_E	Type Number	Special Properties	No. Special Properties	Description	Unit	Information Source-C	Information Source-E	Remarks	keyboarder	Reviewer
电容器用铝箔	aluminium foil for capacitor	80020000	杂质含量	8009	主要杂质为铁、铜和硅，其它杂质很少。杂质中铁的影响最大，因此铝箔中铁含量控制在0.16～0.35%	%	材料大辞典	Materials Comprehensive Dictionary		缪友萍	肖葵
电容器用铝箔	aluminium foil for capacitor	80020000	纯度	8002	纯度要求达到99.5%以上;	%	材料大辞典	Materials Comprehensive Dictionary		缪友萍	肖葵
金属化用锌和锡	zinc and tin for metallization	80030000	杂质含量	8009	锌锭的牌号有0号锌和1号锌。0号锌杂质含量不大于(%):Pb0.003,Fe0.001,Cd0.001,Cu0.001杂质总和0.005。1号锌的杂质含量不大于(%):Pb0.005,Fe0.003,Cd0.002,Cu0.001,杂质总和0.01。	%	材料大辞典	Materials Comprehensive Dictionary		缪友萍	肖葵
金属化用锌和锡	zinc and tin for metallization	80030000	纯度	8002	锌锭的牌号有0号锌和1号锌。0号锌的纯度不小于99.995%，1号锌的纯度不小于99.99%，	%	材料大辞典	Materials Comprehensive Dictionary		缪友萍	肖葵
电容器用钽材	tantalum for capacitor	80040000	比电容	8011	高比容钽粉：10000～30000μF?V/g；中压钽粉：5000～7000μF?V /g；高压钽粉：500～1000μF?V/g。	μF?V/g	材料大辞典	Materials Comprehensive Dictionary		缪友萍	肖葵
铌粉	niobium powder	80050000	杂质含量	8009	C:0.025%,O2:0.025%,N2:0.03%,Si、Ni、W均为0.005%,Mo、Al、Mg、Ti、H2均为0.005%	%	材料大辞典	Materials Comprehensive Dictionary		缪友萍	肖葵
铌粉	niobium powder	80050000	比电容	8011	3300～3600μF?V/g	μF?V/g	材料大辞典	Materials Comprehensive Dictionary		缪友萍	肖葵
铌粉	niobium powder	80050000	漏电流K值	8012	1×10-3μA/(μF?V)	μa(v?μf)	材料大辞典	Materials Comprehensive Dictionary		缪友萍	肖葵
电容器用钽铌合金	tantalum-niobium alloy for capacitor	80060000	漏电流	8013	Tal0Nb：0.133；Ta25Nb：0.147	μA/cm2	材料大辞典	Materials Comprehensive Dictionary		缪友萍	肖葵
电容器用铝带	aluminium strip for capacitor	80070000	纯度	8002	铝纯度为99.9%	%	材料大辞典	Materials Comprehensive Dictionary		缪友萍	肖葵
二号防锈铝合金：		80080001	杂质含量	8009	Cu：0.10%,Mg：2.0%～2.8%,Mn或Cr：0.15%～0.4%,Fe：0.40%,Si：0.4%,Ti：0.15%,A1余量	%	材料大辞典	Materials Comprehensive Dictionary		缪友萍	肖葵
电容器专用铝合金：		80080002	杂质含量	8009	Cu：0.1%～0.2%，Mg：0.06%～0.1%,Mn：0.03%～0.06%,Fe：0.6%～0.7%,Si：0.1%～0.2%,Zn：0.08%～0.13%	%	材料大辞典	Materials Comprehensive Dictionary		缪友萍	肖葵
电容器专用铝合金：铝纯度为		80080002	纯度	8002	98.61%～99.03%，	%	材料大辞典	Materials Comprehensive Dictionary		缪友萍	肖葵
12号硬铝		80080003	杂质含量	8009	：Cu：3.8%～4.9%,Mg：1.2%～1.8%,Mn：0.3%～0.9%,Fe：0.5%,Si：0.50%,Zn：0.3%。Ni：0.1%,Ti：0.15%,Fe+Si：0.5%, Al余量	%	材料大辞典	Materials Comprehensive Dictionary		缪友萍	肖葵
无氧铜板和铜带	oxygen-free copper plate tend copper strip	80100000	杂质含量	8009	纯度高、含氧量极少，1号无氧铜的氧含量为0.003%。主要有两种规格:(1)纯度不小于99.97%,杂质含量不大于(%):Bi：0.002、Sb：0.002、As：0.002、Fe：0.005、Ni：0.002、Pb：0.005、Sn：0.002、S：0.005 、P：0.003、Zn：0.003；( 2)纯度不小于99.95%，杂质含量不大于(%):Bi、Sb、As、Ni、Sn各为0.002,Fe、S、Pb各为0.005,P、Zn各为0.003。	%	材料大辞典	Materials Comprehensive Dictionary		缪友萍	肖葵

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特殊性能编号表

特殊性能名称	特殊性能名称（英文）	特殊性能编号	定义（描述）	单位	备注	录入人	审核人
Grade	Grade_E	No. Special Properties	Definition	Unit	Remarks	keyboarder	Reviewer
电阻率	Resistivity	8001	某种材料制成的长1米、横截面积是1平方毫米的在常温下（20℃时）导线的电阻，叫做这种材料的电阻率	Ω?cm		缪友萍	肖葵
纯度	Purity	8002	…			缪友萍	肖葵
介电常数	K	8003	介质在外加电场时会产生感应电荷而削弱电场，原外加电场(真空中)与最终介质中电场比值即为介电常数(permittivity),又称诱电率	绝对介电常数F/m		缪友萍	肖葵
压敏电压	Varistor voltage	8004	压敏电阻的电流为1mA时所对应的电压作为I随U迅速上升的电压大小的标准，该电压用U1mA表示，称为压敏电压	V		缪友萍	肖葵
介电损耗	Dielectric loss	8005	电介质在交变电场中,由于消耗部分电能而使电解质本身发热的现象			缪友萍	肖葵
电子热激活能	Thermal activation energy E	8006		eV		缪友萍	肖葵
电容温度系数	TCC	8007		10 -6次方/℃		缪友萍	肖葵
耐压强度		8008		KN或N		缪友萍	肖葵
杂质含量		8009				缪友萍	肖葵
方阻		8010		Ω/口或者欧姆/平米/密耳，其中密耳=25um		缪友萍	肖葵
比电容		8011		没查到		缪友萍	肖葵
漏电流K值		8012		μa(v?μf)		缪友萍	肖葵
漏电流(μA/cm2 )		8013		μA/cm2		缪友萍	肖葵

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信息材料用途表

材料名称	材料名称（英文）	材料类型编号	用途	应用实例	信息来源(中文）	信息来源（英文）	备注	录入人	审核人
Grade	Grade_E	Type Number	Application	Application Example	Information Source-C	Information Source-E	Remarks	keyboarder	Reviewer
电容器用铝箔	aluminium foil for capacitor	80020000	用于电容器。	根据电容器的类型，可分为电容器用铝箔和电解电容器用铝箔。电容器用铝箔用作有机介质电容器电极，电解电容器用的阳极铝箔。	材料大辞典	Materials Comprehensive Dictionary		杨敏
金属化用锌和锡	zinc and tin for metallization	80030000	用于金属化电容器的电极蒸发材料。	锌作为金属化电容器的电极材料时，锡用作金属电极的底层。	材料大辞典	Materials Comprehensive Dictionary		杨敏
电容器用钽材	tantalum for capacitor	80040000	用于钽电容器。	钽粉用作烧结式电解电容器阳极，钽丝用作阳极的引出线。	材料大辞典	Materials Comprehensive Dictionary		杨敏
铌粉	niobium powder	80050000	主要用作制造铌电解电容器阳极。	铌电解电容器可用于步话机和一般的工业电器设备。	材料大辞典	Materials Comprehensive Dictionary		杨敏
电容器用钽铌合金	"tantalum-niobium alloy forcapacitor"	80060000	钽铌合金丝用作制造电解薄膜电容器，也用作烧结钽电解电容器阳极的引线。		材料大辞典	Materials Comprehensive Dictionary		杨敏
电容器用铝带	aluminium strip for capacitor	80070000	用作可变电容器的极片。	铝带经冲裁加工可制成空气可变电容器的动片和定片或有机介质可变电容器的动片。	材料大辞典	Materials Comprehensive Dictionary		杨敏
电容器用铝合金带	aluminium alloy strip for capacitor	80080000	用于要求有一定强度的可变电容器极片。		材料大辞典	Materials Comprehensive Dictionary		杨敏
电容器用黄铜带	brass strip for capacitor	80090000	用于可变电容器极片	H68黄铜带，多用作微调电容器电极材料；H62黄铜带，多用作平板型极片。	材料大辞典	Materials Comprehensive Dictionary		杨敏
无氧铜板和铜带	"oxygen-free copper plate tendcopper strip"	80100000	无氧铜板和铜带用作真空固定电容器和可变电容器的电极材料经加工制成直径和壁厚均有较高精度的圆筒形电极。也可用来制造动子盘、定子盘、联结圈等零件。		材料大辞典	Materials Comprehensive Dictionary		杨敏
薄膜介质材料	film dielectric materials	80110000	在混合集成电路中，用作薄膜电容器的介质、薄膜电阻器和薄膜电阻网络的保护层以及多层布线的隔离层。		材料大辞典	Materials Comprehensive Dictionary		杨敏
一氧化硅薄膜	SiO film	80120000	SiO薄膜主要用于薄膜电容器，还可作为薄膜电阻器的保护膜。		材料大辞典	Materials Comprehensive Dictionary		杨敏
二氧化硅薄膜	SiO2 film	80130000	薄膜介电材料	在混合集成电路中，SiO2薄膜广泛用于薄膜电容器，并作电阻器和电阻网络保护层以及薄膜多层布线的隔离层。	材料大辞典	Materials Comprehensive Dictionary		杨敏
钽基介质薄膜	tantalum base dielectric film	80140000	钽基介质薄膜在混合集成电路中主要用来制作薄膜电容器。		材料大辞典	Materials Comprehensive Dictionary		杨敏
氧化钛介质薄膜	titanium oxide dielectric film	80150000	该介质薄膜用于制作混合电路用的薄膜电容器以及氧化钛二极管等。		材料大辞典	Materials Comprehensive Dictionary		杨敏
氧化钇介质薄膜	yttrium oxide dielectric film	80160000	Y2O3介质薄膜用于制作薄膜电容器。	容量转大的薄膜电容器	材料大辞典	Materials Comprehensive Dictionary		杨敏

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材料名称	材料名称（英文）	材料类型编号	生产厂家	专利	相关文献	信息来源(中文）	信息来源（英文）	备注	录入人	审核人
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电容器用铝箔	aluminium foil for capacitor	80020000	东北轻合金有限责任公司	曾建皇,高伯安, 等.一种点解电容器用铝箔腐蚀工艺: 中国, 200910042983.4	高亢之. 电解电容器用铝箔概述.轻合金加工技术,2000	万方数据库	WANFANG DATA		杨敏
电容器用钽材	tantalum for capacitor	80040000	株洲日望电子科技有限公司	刘建清,刘敏.高能钽混合电容器用阴极材料及其制备方法：中国，200910043151.4	夏明星，郑欣，李中奎,等.电容器用钽铌粉的研究进展	万方数据库	WANFANG DATA		杨敏
铌粉	niobium powder	80050000	宁夏东方钽业股份有限公司	施文锋,等.低价氧化铌或铌粉的制备方法：中国，200710145183.6	夏明星，郑欣，李中奎,等.电容器用钽铌粉的研究进展	万方数据库	WANFANG DATA		杨敏
无氧铜板和铜带	"oxygen-free copper plate tendcopper strip"	80100000	上海康成铜材有限公司	徐恒雷,杨卫良.一种短流程无氧铜带生产方法：中国，200910047381.8	沈韶峰.无氧铜和引线框架铜合金熔铸设备的选型分析.有色金属加工,2008.	万方数据库	WANFANG DATA		杨敏
一氧化硅薄膜	SiO film	80120000			罗海瀚，刘定权，尹欣，等.沉积温度对一氧化硅薄膜聚集密度的影响.光子学报，2012	万方数据库	WANFANG DATA		杨敏
二氧化硅薄膜	SiO2 film	80130000		赵华波.一种制备纳米尺度氧化硅沟槽的方法:中国，200910312966.8	殷明志，姚熹，吴小清，等.溶胶~ 凝胶法制备纳米二氧化硅溶胶和多孔二氧化硅薄膜.硅酸盐学报,2002.	万方数据库	WANFANG DATA		杨敏
钛酸钡薄膜	barium titanate film	80170000	E.I.内穆尔杜邦公司	W?J?博兰德, 等.掺锰的钛酸钡薄膜组合物、电容器和它们的制造方法. 200680021826.X	王敏,郭会勇,文波,等.BaTi03介电薄膜的微弧氧化制备及表面形貌.华南理工大学学报,2011.	万方数据库	WANFANG DATA		杨敏
氮化硅薄膜	silicon nitride film	80180000		曾祥斌, 姜礼华, 张笑. 一种含硅纳米粒子的氮化硅薄膜制备方法: 中国, 201110139024.1	刘学建, 金承钰, 张俊计, 等. 低压CVD氮化硅薄膜的沉积速率和表面形貌. 无机材料学报, 2004.	万方数据库	WANFANG DATA		杨敏
镍铬薄膜	nickel-chromium film	80210000		林国强，吴博，吴爱民，等.一种燃料电池用双极板及其表面氮镍铬薄膜制备方法：中国200810086375.9	"吴勇,杜磊,庄奕琪.镍铬薄膜电阻器噪声特性研究.电子元件与材料 ,2006."	万方数据库	WANFANG DATA		杨敏
金属陶瓷电阻薄膜	metallic ceramic resistance film	80220000			孙兆奇，何玉平，宋学萍，等。Cu-MgF2复合纳米金属陶瓷薄膜的电导特性研究.物理学报,2003.	万方数据库	WANFANG DATA		杨敏
铬硅电阻薄膜	chromium-silicon resistance film	80230000			姚瑞楠，刘玉奎，崔伟.铬硅薄膜电阻的退火工艺条件研究.微电子学，2010.	万方数据库	WANFANG DATA		杨敏
热敏电阻材料	thermistor materials	80270000	成都顺康电子有限责任公司	杨敬义.一种钛酸钡低B值、高电阻率热敏电阻材料及其制备方法：中国，201010131358.X	方志远，沈舂英，丘泰.BaTi03系PTC热敏电阻材料的研究进展.电子元件与材料,2010.	万方数据库	WANFANG DATA		杨敏
NTC热敏电阻材料	NTC thermistor materials	80280000	肇庆市金龙宝电子有限公司	林德智，蒋朝伦.高B值、高稳定性的NTC热敏电阻材料及其生产方法:中国，201110370731.3	张勇,廖莉玲,邹文静,等.NTC热敏电阻材料的制备、性能优化及相关机理的研究进展.材料导,2010.	万方数据库	WANFANG DATA		杨敏
PTC热敏电阻材料	PTC thermistor materials	80300000	深圳市长园维安电子有限公司	连铁军，等.PTC热敏电阻及其应用的基材及其制造方法：中国， 201110042469.8	方志远，沈舂英，丘泰.BaTi03系PTC热敏电阻材料的研究进展.电子元件与材料,2010.	万方数据库	WANFANG DATA		杨敏
厚膜热敏电阻材料	thick film thermistor materials	80310000		李旭琼，骆颖，刘心宇，等. 一种厚膜热敏电阻浆料、其制备方法及厚膜热敏电阻: 中国，201010137147.7	杨雯.PTC 厚膜热敏电阻浆料.研究与试制.	万方数据库	WANFANG DATA		杨敏

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