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Grade Grade_E Type Number Information Source-C Information Source-E Description Description File Description-E Remarks keyboarder Reviewer
硅单晶 monocrystalline silicon 10010000 材料大辞典 Materials Comprehensive Dictionary 呈单晶体的半导体硅材料，是产量最大，应用最广的半导体材料。性能如下：禁带宽度1. 12 cV，电子迁移率1500cm2/V?g，空穴迁移率450cm2/V?s，本征载流子浓度1.45×1010cm-3,本征电阻率2.3×105Ω?cm,热导率(300K)150W/m?K, 临界剪切应力(CRSS)1.85MPa(接近熔点时)。由于其良好的热导率及高温力学性能、优异的半导体性质，能稳定地制备大直径无位错单晶(目前生产的最人直径为250mm)。同时硅容易形成与其本体牢固结合的氧化膜，这种氧化膜可以在器件中起到隔离、掩蔽、绝缘作用，因此世界上几乎所有的集成电路都是硅单晶制成的，而且集成电路用硅占硅单晶整个用量的80%以上。此外，绝大多数的电力电子器件(可控硅，整流器等)，功率晶体管和大部分的各种类型的二极、三极晶体管和太阳电池也是用硅单晶制成的。按工艺方法可分为直拉硅单晶（CZ-Si），区熔硅单晶（FZ-Si）、磁拉硅单晶 (MCZ-Si)。区熔硅单晶主要用于制作电力电子器件及大功率晶体管。磁拉硅单晶主要用于制作CCI器件。而占产量的90%的直拉硅单晶用于制作集成电路及其它分立元件，按用途可分为电路级硅单品、探测器级硅单晶等。 缪友萍 张深根
元素半导体材料 elemental semiconductor materials 10020000 材料大辞典 Materials Comprehensive Dictionary "由单一元素构成的具有半导体性质的材料。元素半导体分布于元素周期表Ⅲ族至Ⅴ族之中。ⅢA族的硼是宽带隙半导体，但未得到应用。ⅣA族的碳(金刚石)也是宽带隙半导体。它的热导率高，器件容易散热，但目前工艺不成熟，未获得应用。ⅣA族的硅、锗是典型的元素半导体。其中硅是最重要、用途最大的半导体材料。硅器件占整个半导体器件90%以上。锗的重要性仅次于硅。ⅢA族的稼也是半导体。具有半导体性质的元素还有ⅤA族的红磷、灰砷和灰锑；ⅥA族的硫、β-硒和蹄；ⅦA族的碘。这些元素半导体中只有硒用于整流器和光敏器件。其余的ⅤA、ⅥA、ⅦA元素半导体均未能作为半导体得到应用。" 杨敏 肖葵
化合物半导体材料 compound semiconductor materials 10030000 材料大辞典 Materials Comprehensive Dictionary 由两种或两种以上元素以确定的原子配比形成的化合物并具有确定的禁带宽度和能带结构等半导体性质的称为化合物半导体材料。化合物半导体材料种类繁多，性质各异，如Ⅲ-Ⅴ族和Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体及其固溶体材料，Ⅳ-Ⅳ族化合物半导体(SiC)和氧化物半导体(Cu2O)等。它们中有宽禁带材料，也有高电子迁移率材料；有直接带隙材料，也有间接带隙材料。因此化合物半导体材料比起元素半导体来，有更广泛的用途。多数化合物半导体都含有一个或一个以上挥发性组元，在熔点时挥发性组元会从熔体中全部分解出来。因此化合物半导体材料的合成、提纯和单晶制备技术比较复杂和困难。维持熔体的化学计量比，是化合物半导体材料制备的一个重要条件。通常采用水平布里奇曼法(HB)、液封直拉法(LEC)、高压液封直拉法(HPLEC)、垂直梯度凝固法(VGF)制备化合物半导体单晶，用液相处延(LPE)、气相处延(VPE)、分子束外延(MBE)、金属有机物化学气相沉积法(MOCVD)等制备它们的薄膜和超薄层微结构化合物材料。化合物半导体材料在光电子器件、超高速微电子器件和微波器件及电路等方面有重要应用。有机化合物半导体参见有机半导体。 刘阳 张深根
二元化合物半导体材料 binary cornpoundt semicondutor materials 10040000 材料大辞典 Materials Comprehensive Dictionary 由两种元素以确定的原子配比形成并具有确定的禁带宽度和能带结构等半导体性质的化合物。按组元在元素周期表中的位置，可形成Ⅰ-Ⅴ族化合物半导体，如Na3Sb、K3Sb；Ⅰ-Ⅵ族化合物半导体，如Cu2O；Ⅰ-Ⅷ族化合物半导体，如CuBr；Ⅱ-Ⅳ族化合物半导体，如Mg2Si、Mg2Ge；Ⅱ-Ⅴ族化合物半导体，如Mg3Sb2、ZnAs2；Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体，如ZnS、CdTe、ZnSe等；Ⅱ-Ⅶ族化合物半导体如HgI2 ；Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体，如GaAs、InP、GaP等；Ⅲ-Ⅵ族化合物半导体，如Ga2Te3等；Ⅳ-Ⅳ族化合物半导体，如SiC；Ⅳ-Ⅵ族化合物半导体，如SnS、PbS、PbSe等；Ⅴ-Ⅵ族化合物半导体，如Sb2S3、B2Se3等。在上述二元化合物半导体材料中，Ⅲ-Ⅴ化合物、Ⅳ-Ⅳ族化合物、Ⅱ-Ⅵ族化合物和Ⅰ-Ⅵ族化合物具有独特能带结构和性质，在微波器件、光电器件、红外器件和超高速微电子器件及电路方面得到广泛的应用，其它二元化合物半导体材料尚未看到应用前景。 缪友萍 张深根
三元化合物半导体材料 ternary compound semiconductor materials 10050000 材料大辞典 Materials Comprehensive Dictionary 由三种元素以确定的原子配比形成的化合物并具有确定的禁带宽度和能带结构等半导体性质的称为三元化合物半导体。黄铜矿型化合物半导体材料是典型的三元化合物半导体材料。以Ⅱ族和Ⅳ族元素的原子替代Ⅲ-Ⅴ族化合物中的两个Ⅲ族原子形成的三元化合物半导体和以Ⅰ族和Ⅲ族原子替代Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体中的两个Ⅱ族原子形成的三元化合物半导体的晶体结构都是属于黄铜矿型，它们的物理性质见表1、三元化合物半导体材料。这些三元化合物半导体是直接跃迁型材料，而且有些材料禁带宽度大，有希望用来研制可见光发光二极管。 缪友萍 张深根
Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体 Ⅲ-Ⅴcompound semiconductor 10060000 材料大辞典 Materials Comprehensive Dictionary 元素周期表中Ⅲ族的B、Al、Ga、In和V族的N、P、As、Sb形成的化合物半导体材料，如图所示。Ⅲ-Ⅴ族化合物的表示式为AⅢBⅤ，如BN、BP、Bas、BSb、AlN、AlP、AlAs、AlSb、GaN、GaP、GaAs、GaSb、InAs、InN、InP、InAs和InSb。其中BN、AlN、GaN和InN是纤维锌矿结构，其余十二种为闪锌矿结构。由于不同的Ⅲ族和Ⅴ族元素具有不同的四面体的共价半径和负电性，因此不同的化合物具有不同的单健能，它们的离子性成分和晶格中原子间距也各不相同，这就构成了各种化合物的不同性质。Ⅲ-Ⅴ族化合物的一个重要特点就是含有一个Ⅴ族的挥发性组元，在它们熔点时，存在一个Ⅴ族元素的离解压，以磷化物离解压为最高。由于这个特点。Ⅲ-Ⅴ族化合物的制备方法有以下几种：液封直拉法(LEC)、高压液封直拉法(HPLEC)、水平区熔法(HB)和垂直梯度凝固法(VGF)等。薄膜制备方法有液相外延(LPE)、气相外延(VPE)、分子束外延(MBE)、化学束外延(CBE )和金属有机物化学气相淀积(MOCVD)等。Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料在光电子器件、光电集成、超高速微电子器件和超高频微波器件及电路上得到重要应用，有广阔的前景。 缪友萍 张深根
Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体 Ⅱ-Ⅵcompound semiconductor 10070000 材料大辞典 Materials Comprehensive Dictionary 元素周期表中Ⅱ族元素Zn,Cd,Hg和Ⅵ族元素S,Se,Te所形成的化合物半导体材料，它们是ZnS,ZnSe,ZnTe,CdS,CdSe,CdTe,HgS和HgTe。其中α-ZnS,α-CdS和CdSe为纤维锌矿结构，其余均为闪锌矿结构。由于Ⅱ族元素Zn,Cd,Hg和Ⅵ族元素S,Se,Te都是挥发性组元，因此Ⅱ-Ⅵ族化合物在它们的熔点时具有很高的蒸气压，如ZnS熔点蒸气压为1×107Pa,ZnSe熔点蒸气压为7.0×lO6Pa。多数Ⅱ-Ⅵ族化合物熔点较高，蒸气压大，因而正化学计量比和完整的Ⅱ-Ⅵ化合物单晶制备比较困难。制备的主要方法有升华法、气相合成法、高压熔体生长法和移动溶剂法等。Ⅱ-Ⅵ族化合物，属宽禁带化合物半导体，除了CdTe可以生长两种导电类型外，其它材料均为单一的导电类型，即n型，很难用掺杂的方法获得P型材料。这是因为在宽禁带化合物半导体中，掺入的杂质会被不断产生的晶格缺陷所被偿的缘故。Ⅱ-Ⅵ族化合物具有直接跃迁型的能带结构和宽禁带的特点，因此在激光、发光、红外探测等方面有广泛的应用。 缪友萍 张深根
Ⅳ-Ⅳ族化合物半导体 Ⅳ-Ⅳcompound semiconductor 10080000 材料大辞典 Materials Comprehensive Dictionary Ⅳ-Ⅳ族化合物半导体，主要指的是SiC，是一种宽禁带半导体，有σ-SiC和β-SiC两种。σ-SiC的禁带宽度为2.86eV，β-SiC的禁带宽度为1.9eV。SiC的熔点（＞2700℃)和蒸气压都很高，通常σ-SiC用升华法制备，β-SiC用溶液法和气相外延法制备。SiC可以制成p-n结，并可以制成在500℃下工作的面接触整流器和场效应晶体管，也可以用来制作蓝色或其他颜色的发光二极管。 缪友萍 张深根
混晶半导体 semiconductor solid solution 10090000 材料大辞典 Materials Comprehensive Dictionary 组元按设定的比例形成的固溶体以求达到预期的禁带宽度、晶格常数以及电学、光电方面特性的半导体材料，称为固溶半导体或混晶半导体。按其组元可分为二元、三元、四元或多元固溶体;按其组元性质可分为元素固溶体、Ⅲ-Ⅴ族化合物固溶体以及异族固溶体等。固熔半导体的表示方法为:A1-xBx,A1-xBxC,A1-xBxC1-yDy，例如Ga1-xAlxAs,Hg1-xCdxTe,In1-xGaxP1-yAsy。固溶半导体的晶格常数对应其组分的比例一般呈线性变化，而禁带宽度与其组分比例多呈折线变化，固溶半导体的最重要特征是带隙、晶格参数等特性的可调性固溶半导体主要应用于制造发光管、激光器、光探测器、量子阱激光器以及HEMT,HBT等超高速微电子器件。固溶半导体多用外延法制成薄膜或超薄层材料，如气相、液相、分子束和化学束外延等。锗硅和碲镉汞等固溶体可制成体材料。 缪友萍 张深根
固溶半导体 semiconductor solid solution 10100000 材料大辞典 Materials Comprehensive Dictionary 见混晶半导体 缪友萍 张深根
无定形半导体 amorphous semiconductor 10110000 材料大辞典 Materials Comprehensive Dictionary 亦称非晶半导体，是非晶态固体中具有半导体性能的一类材料，玻璃半导体也是非晶半导体，非晶半导体具有亚稳态结构，其组成原子的排列是短程有序、长程无序的。因为非晶态结构中原子之间的键合力并未改变，只是键长和键角略有不同。非晶半导体的一部分为薄膜形态，只能通过低温下化学气相沉积(CVI)、真空蒸发或溅射等技术制备。如共价键的四面体非晶半导体Si,Ge,SiC,GaAs,GaSb等。另一部分材料可以通过从熔体快速冷凝而制成块状的非晶半导体，如共价键的链状结构材料S,Se,Te；AsSe,AsS等以及离子键的氧化物V2O5,P2O5,BaO,MnO?Al2O3,SiO2等。这后?类材料通常又叫玻璃半导体。非晶半导体具有与同质晶态基本相同的电子能带结构，从而也具有相似的光学性质和电学性质。但无序结构在能带中引入了大量的定域电子态，这包括定域化带尾态和由欠配位(悬键)和过配位(浮键)等缺陷结构引起的缺陷态和亚稳缺陷态。这些带隙定域态显著地降低了非晶半导体的电子迁移率和电导率，以及对人为的微量掺杂和外加电场的响应灵敏度，并使其输运特性呈现明显的陷阱效应和弥散性，不利于非晶半导体的器件应用。在光学性质方面，无序结构放宽了光学跃迁中准动量守恒法则的限制，使一些间接带隙材料(如Si)的非晶态具有远大于同质晶态的带间跃迁吸收系数，增加了光敏性非晶硅已应用于制作太阳电池和薄膜晶体管。 缪友萍 张深根
非晶半导体 amorphous semiconductor 10120000 材料大辞典 Materials Comprehensive Dictionary 见无定形半导体 缪友萍 张深根
徽晶半导体 microcrystalline semiconductor 10130000 材料大辞典 Materials Comprehensive Dictionary 包含微晶相和无定形相结构薄膜半导体材料。由平均尺度在数纳米至数十纳米的结晶粒散布与无定形组织中构成。早在60年代末期就开始采用氢等离子输运技术制备氢化微晶硅(μc-Si:H)和氢化微晶锗(μc-Ge：H)膜。80年代以来，又发展了等离子辅助CAD和微波激激励CVD等制备μc-Si:H技术，并在太阳能电池和集成电路等方面显示出应用潜力。μc-Si:H膜具有良好的光照稳定性，较高的电子迁移率。其电导机制由载流子越过晶间势垒的输运决定。μc-Si:H还具有较高掺杂效率，在同样的掺杂条件下，它的电导率往往比氢化非晶硅(σ-Si：H)高3～1个数量级。但μc-Si:H光敏性不强，场效应不显著，限制了其应用范围。 缪友萍 张深根
宽禁带半导体 wide-gap semiconductor 10140000 材料大辞典 Materials Comprehensive Dictionary 一般指室温下的带隙Eg>2.3e V的半导体材料。在这类半导体中主要有Ⅳ族元素碳的同素异构之一的金刚石(diamond,Eg～5.5eV)；Ⅳ一Ⅵ族化合物中存在多种结构形式的碳化硅(典型的6H-SiC,～2.9eV,3B-SiC,～2.3eV)；Ⅲ-Ⅴ族氮化物中的立方氮化硼(c-BN,≥6.4eV)；氮化铝(AlN,～6.2eV)和氮化稼(GaN,～3.4eV)以及Ⅱ-Ⅵ族合物中的硫化锌(ZnS,～3.6eV)、硒化锌(ZnSe,～2.7eV),碲化锌(ZnTe,～2.3eV)和硫化钙(CaS,～2.5eV)等。宽禁带半导体通常都有立方、六角两种结构类型，SiC中则存在菱面结构。除金刚石的化学键是完全共价的以外，其它材料都是局部离子化的，一般趋势是带隙度越大，离子化程度越高(但BN是个例外)。离子程度越高，则获得n型及P型两种电导的难度越大。金刚石、c-BN及碳化硅等均具高硬度、耐腐蚀及高热导率等优良特性，早已期待制作可在高温下使用的电子器件，但迄今外延尚未实现。只有碳化硅实现在Si及SiC上的外延，而且作出较大面积的SiC体单晶，从而为高质量的外延及微电子集成方面的开拓提供了基础.之所以把宽禁带半导体的禁带宽度界定为2.3eV在较大程度上是与蓝光乃至紫外光学器件的应用期望联系在一起的。随着具有超高真空、低温外延及非平衡生长等特色的分子束外延(MBE)、金属有机化合物气相外延(MOVPE)和质量分析的低能离子束外延(MALEIBE)及其混合型生长工艺的开发，以及涉及衬底晶向和表面再构的精心选择及缓冲层材料及结构的严格设定等异质外延工艺的进展，还有包括量子阱设计，V-掺杂及欧姆接触改进等器件工艺的日新月异的进步，在80年代末到90年代初，SiC,GaN及ZnSe为基础材料的蓝光发光二极管已陆续问世，而就蓝光激光器而言，ZnSe基材料已在九十年代作出了样品，GaN蓝光激光器则正在开发中。 缪友萍 张深根
窄禁带半导体 narrow gap semiconductor 10150000 材料大辞典 Materials Comprehensive Dictionary 一般指禁带宽度小于0.26eV的半导体。在元素半导体中灰锡(σ-Sn，在低于了l3.2℃稳定)和α-SnGe固溶体;在Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体中锑化铟(InSb)及其固溶体如InAsxSb1-x,和InAsSbBi;在Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体中碲化汞(HgTe)和硒比汞(HgSe)及其固溶体如HdCdTe和HgMnTe;以及在Ⅳ-Ⅵ族化合物半导体硒化铅（PbSe)、碲化铅（PbTe)、硫化铅(PbS)和碲化锡(SnTe)及其固溶体Pb1-xSnxTe等均属于窄禁带半导体。窄禁带半导体的体晶体可以熔体或高压熔体中生长;用开管或闭管的升华法从汽相中生长，用移动溶剂法从溶液中生长，外延薄膜材料可用液相外延法、分子束外延法和金属有机物汽相外延法制备。某些Ⅳ-Ⅵ族化合物和PbS薄膜还可从水溶液中靠化学反应形成。在窄禁带半导体中各种磁量子现象、与自旋有关的色散现象表现得最为明显。这类材料适用于制造红外光电探测器和一维、二维成像器件、红外激光器等红外接收和发射器件。也适于制造霍尔器件、磁阻器件等敏感元件。 缪友萍 张深根
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化学成分表
材料名称 材料名称（英文） 材料类型编号 成分 元素表示方法 信息来源(中文） 信息来源（英文） 备注 录入人 审核人
Grade Grade_E Type Number Components Element representation Information Source-C Information Source-E Remarks keyboarder Reviewer
硅单晶 monocrystalline silicon 10010000 纯度要求达到99.9999％，甚至达到99.9999999％以上[5] 材料大辞典 Materials Comprehensive Dictionary 缪友萍 张深根
红磷 Red phosphorus 10020001 无 Materials Comprehensive Dictionary 杨敏 肖葵
灰砷 Grey?arsenic 10020002 杂质总量<10ppm 材料大辞典 Materials Comprehensive Dictionary 杨敏 肖葵
灰锑 Gray?antimony 10020003 材料大辞典 Materials Comprehensive Dictionary 杨敏 肖葵
硫 Sulfur 10020004 维基百科 杨敏 肖葵
硼 Boron 10020005 维基百科 杨敏 肖葵
碳(金刚石) Carbon (diamond) 10020006 维基百科 杨敏 肖葵
锗 Germanium 10020007 维基百科 杨敏 肖葵
β-硒 β-Se 10020008 无 杨敏 肖葵
碲 Tellurium 10020009 维基百科 杨敏 肖葵
碘 Iodine 10020010 维基百科 杨敏 肖葵
镓 Gallium 10020011 维基百科 杨敏 肖葵
AlAs AlAs 10040001 维基百科 杨敏 肖葵
AlN AlN 10040002 维基百科 杨敏 肖葵
AlP AlP 10040003 维基百科 缪友萍 张深根
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生产工艺表
材料名称 材料名称（英文） 材料类型编号 信息材料制备方法 信息来源(中文） 信息来源（英文） 备注 录入人 审核人
Grade Grade_E Type Number technology Information Source-C Information Source-E Remarks keyboarder Reviewer
红磷 Red phosphorus 10020001 稳定的红磷及其制备方法。 专利号：CN88101594 刘一凡 张深根
灰砷 Grey?arsenic 10020002 张深根
灰锑 Gray?antimony 10020003 锑在地壳中含量是比较少的，但它在自然界中有单质状态存在。把辉锑矿焙烧后，变成氧化物，再用碳还原，就可获得金属锑： 　　2Sb2S3 + 9O2 → 2Sb2O3 + 6SO2↑ 　　Sb2O3 + 3C → 2Sb + 3CO↑ 百度百科 刘一凡 张深根
硫 Sulfur 10020004 "（1）从黄铁矿提取硫： 3FeS2 + 12C + 8O2 Fe3O4 + 12CO + 6S （2）弗拉施法提取硫： 用过热水蒸气加热含硫的矿石使硫熔化，再利用热空气（2-2.5MPa）将液态硫压到地表，硫的纯度可达99.5%。 （3）改良的克劳斯法制备硫： 将H2S催化氧化是制备单质硫的重要途径： 2H2S + O2 2S + 2H2O 原料来源于天然气和各种工业气体中所含的H2S，催化剂是多孔的氧化铝，三氧化二铁或活性炭。 （4）其他方法： 以冶炼硫化物矿时所产生的SO2为原料，也可制单质硫： SO2 + 2H2S 3S + 2H2O SO2 + C S + CO2 将粗硫蒸馏，可得更纯净的硫。硫蒸气冷却后形成细微结晶的粉状硫，叫做硫华。" 互动百科 刘一凡 张深根
硼 Boron 10020005 刘一凡 张深根
碳(金刚石) Carbon (diamond) 10020006 在7000度高温下用炭和CCl4生成NaCl和金刚石粉末。 百度知道 刘一凡 张深根
锗 Germanium 10020007 1、超纯锗的制备；2、干流法提取褐煤中的锗 《四川化工》，万方数据,《用干馏方法提取褐煤中锗并制备焦炭的研究》 刘一凡 张深根
β-硒 β-Se 10020008 1、高纯硒的提纯；2、从含硒废料中回收制备高纯硒 万方数据，《从含硒废料中回收制备高纯硒》《高纯硒提纯工艺研究》 刘一凡 张深根
碲 Tellurium 10020009 高纯碲的制备方法 万方数据，《高纯碲的制备方法》 刘一凡 张深根
碘 Iodine 10020010 "法一：以盐卤作原料向其中通入氯气：Cl2 + 2I- == 2Cl- + I2法二：以智利硝石（主要成分为NaNO3，还含有NaIO3）为原料加NaHSO3还原：2NaIO3+5NaHSO3==I2+2Na2SO4+3NaHSO4" 百度知道 刘一凡 张深根
镓 Gallium 10020011 高纯金属镓制备技术研究进展 万方数据，《高纯金属镓制备技术研究进展》 刘一凡 张深根
AlN AlN 10040002 低成本合成氮化铝粉末 万方数据，《低成本燃烧合成氮化铝粉体》 刘一凡 张深根
AlP AlP 10040003 刘一凡 张深根
AlSb AlSb 10040004 1、用磁控溅射和退火方法制备AlSb多晶薄膜2、用共蒸发制备AlSb多晶薄膜 万方数据，《用磁控溅射和退火方法制备AlSb多晶薄膜》《用共蒸发法制备AlSb多晶薄膜》 刘一凡 张深根
BP BP 10040008 单质硼和红磷的混合物加热到900°C-1000°C热分解PCl3?BCl3硼与磷化锌或磷化氢反应氢气还原三氯化硼和红磷的混合物三氯化硼与磷化物进行复分解反应。 百度百科 刘一凡 张深根
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加工性能表
材料名称 材料名称（英文） 材料类型编号 加工性能 加工性能编号 描述 单位 信息来源(中文） 信息来源（英文） 备注 录入人 审核人
Grade Grade_E Type Number Processing Performance No.Processing performance Description Unit Information Source-C Information Source-E Remarks keyboarder Reviewer
红磷 Red phosphorus 10020001 切削加工性能，热处理性能 001,002 柔软，易燃，在钢中固溶强化和冷作硬化作用强 互动百科 刘一凡 张深根
灰砷 Grey?arsenic 10020002 切削加工性能 001 脆性，半导体 维基百科 刘一凡 张深根
硫 Sulfur 10020004 切削加工性能，导电性 001,007 导电导热性能差，质松脆，提高硫和锰的含量，可以改善钢的被切削性能 互动百科 刘一凡 张深根
硼 Boron 10020005 低密度，高强度，高熔点，增加钢的淬透性 互动百科 刘一凡 张深根
碳(金刚石) Carbon (diamond) 10020006 切削加工性能，导热性 001,008 熔点极高，最好的热导体，不导电，硬度良好。 百度百科 刘一凡 张深根
锗 Germanium 10020007 切削加工性能 001 熔沸点高，一种脆类金属。 维基百科 刘一凡 张深根
碲 Tellurium 10020009 锻造性能，导电性，导热性 005,007,008 可增加钢的延展性，改善材料的切削加工性能并增加硬度，易传热易导电 互动百科 刘一凡 张深根
碘 Iodine 10020010 切削加工性能 001 性脆，易升华。有毒性和腐蚀性。 互动百科 刘一凡 张深根
镓 Gallium 10020011 切削加工性能，锻造性能 001,005 非常柔软，富有延展性。放在手中即会熔化，但沸点很高。 维基百科 刘一凡 张深根
AlAs AlAs 10040001 熔点是1740 °C，密度是3.76 g/cm3，而且它很容易潮解。热导率 0.9 W/(cm*K) (300 K) 维基百科 刘一凡 张深根
AlN AlN 10040002 切削加工性能，导热性，导电性 001,007,008 热导率高，各种电性能优良，机械性能好，抗折强度高于Al2O3和BeO陶瓷，可以常压烧结 互动百科 刘一凡 张深根
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加工性能编号表
加工性能名称 加工性能名称（英文） 加工性能编号 定义（描述） 单位 备注 录入人 审核人
Grade Grade_E No.Processing performance Definition Unit Remarks keyboarder Reviewer
切削加工性能 CuttingPerformance 001 切削加工信息材料材料的难易程度 缪友萍 张深根
热处理性能 Heat Treatment Properties 002 对固态金属或合金采用适当方式加热、保温和冷却，以获得所需要的组织结构与性能的能力 缪友萍 张深根
铸造性能 Casting performance 003 反映信息材料浇注成铸件时反映出来的难易程度的性能 缪友萍 张深根
焊接性能 Welding performance 004 把两块信息材料局部加热并使其接缝部分迅速呈熔化或半熔化状态，从而使之牢固地联接起来，而不发生裂纹的性能 缪友萍 张深根
锻造性能 Forged Performance 005 把两块信息材料局部加热并使其接缝部分迅速呈熔化或半熔化状态，从而使之牢固地联接起来，而不发生裂纹的性能 缪友萍 张深根
弯曲性能 Bending properties 006 是指材料在常温下承受弯曲变形的能力 缪友萍 张深根
导电性能 Electrical Conductivity 007 物体导电的能力。一般来说金属、半导体、电解质和一些非金属都可以导电。非电解质物体导电的能力是由其原子外层自由电子数以及其晶体结构决定的。 刘一凡 张深根
导热性能 Thermal Conductivity 008 物质传导热量的性能称为导热性。一般说导电性好的材料，其导热性也好。 W/（m?K） 刘一凡 张深根
延展性 Ductility 009 延展性是物质的物理属性之一，它指可锤炼可压延程度.易锻物质不需退火可锤炼可压延.可锻物质,则需退火进行锤炼和压延.脆性物质则在锤炼后压延程度显得较差. 刘一凡 张深根
析晶性 Crystallization properties 010 析晶，是当物体在处于非平衡态时，会析出另外的相，该相以晶体的形式被析出。 刘一凡 张深根
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单质信息材料基本性能表
材料名称 材料名称（英文） 材料类型编号 化学成分/纯度 符号 序号 系列 族 周期 元素分区 密度（g/cm3） 硬度（HV） 颜色 外表 地壳含量（%） 原子量 原子半径（pm） 共价半径（pm） 范德华半径（pm） 价电子排布 电子在每能级的排布 氧化价 晶体结构 物质状态 熔点（℃） 沸点（℃） 摩尔体积（m3/mol） 汽化热（kJ/mol） 熔化热（kJ/mol） 蒸汽压（Pa） 声速（m/s） 电负性（鲍林标度） 比热容量（J/(kg*K)） 电导率(/米欧姆) 第一电能（kJ/mol） 第二电能（kJ/mol） 第三电能（kJ/mol） 第四电能（kJ/mol） 最稳定的同位素 电阻率（Ω*m） 信息来源（中文） 信息来源（英文） 备注 录入人 审核人
Grade Grade_E Type Number Purity Symbol Number Element Category Group Period Block Density Hardness Color Appearance Crustal Levels Standard Atomic Weight Atomic Radius Covalent Radius Van der Waals Radius Electron Configuration Electrons per Shell Oxidation States Crystal Structure Phase Melting Point Boiling point Molar Volume Heat of Vaporization Melting Heat Vapor Pressure Sound Velocity Electronegativity Specific Heat Capacity Conductivity The First Power The Second Power The Third Power The Fourth Power Most Stable Isotope Resistivity Information Source-C Information Source-E Remarks keyboarder Reviewer
硅单晶 monocrystalline silicon 10010000 纯度要求达到99.9999％，甚至达到99.9999999％以上[5] c-Si[1] 14 半导体材料 14族（IVＡ） 3 p 呈灰色金属光泽[9] 28.0855 110(111）pm（维基百科） [氖]3s23p2（维基百科） 2,8,4（维基百科） 4（两性的)（维基百科） 固态 8.43（纵波，[100]），5.84（横波,[100]）,9.13(纵波，[110]),4.67、5.84（横波，[110]），9.36(纵波，[111]),5.09(横波，[111]) 105cm/s[6] 1.90（鲍林标度）（维基百科) 约10-4S/cm[1] 786.5 kJ/mol（维基百科） 1577.1 kJ/mol（维基百科） 3231.6 kJ/mol（维基百科） 4355.5 kJ/mol（维基百科） 28Si，29Si，30Si，32Si（维基百科） 材料大辞典 Materials Comprehensive Dictionary 缪友萍 张深根
红磷 Red phosphorus 10020001 P4[9] 15 具半导体性质[1] ⅤA族 3 p 2.34×103 kg/m3 NA 紫红或略带棕色的无定形粉末，有光泽[5] 无定形粉末，有光泽[5] 0.09% 30.9738[4] 100（98）pm 106pm 180pm [氖]3s23p3 2，8，5 ±3，5，4（弱酸性） 单斜晶体 固态 590 °C（863 K）[5] 550 K （277 °C） 17.02×10-6m3/mol 12.129 kJ/mol 0.657 kJ/mol 4357kPa(590℃)(4357kPa) [5] 2.19（鲍林标度） 1040 J/(kg?K) 1.0×10-9/(米欧姆) 1011.8 kJ/mol 1907 kJ/mol 2914.1 kJ/mol 4963.6 kJ/mol 31P[1] 1×109Ω?m 维基百科 Materials Comprehensive Dictionary 杨敏 肖葵
灰砷 Grey?arsenic 10020002 杂质总量<10ppm α-As[7] 33 类金属 ⅤA族 4 p 5.73 银灰色有金属光泽，接触空气表面逐渐氧化变成黑色 有金属光泽 74.9216[4] 115（114）pm（维基百科） 119 pm（维基百科） 185 pm（维基百科） [氩]3d104s24p3（维基百科） 2，8，18，5（维基百科） 3，-3，5（弱酸性）（维基百科） 六方晶系 固态 817℃(加压到3.6MPa ) 升华点615 ℃ 2.18（鲍林标度）（维基百科） 947.0 kJ/mol（维基百科） 1798 kJ/mol（维基百科） 2735 kJ/mol（维基百科） 4837 kJ/mol（维基百科） 72As，73As，74As，75As，76As，77As（维基百科） 材料大辞典 Materials Comprehensive Dictionary 杨敏 肖葵
灰锑 Gray?antimony 10020003 α-Sb[7] 51 类金属 ⅤA族 5 p 121.75[4] 145（133）pm 138pm [氪]4d105s25p3 2，8，18，18，5 ?3, 3, 5 固态 431℃[7] 2.05（鲍林标度） 834 kJ/mol 1594.9 kJ/mol 2440 kJ/mol 4260 kJ/mol 121Sb,123Sb,125Sb 维基百科 杨敏 肖葵
硫 Sulfur 10020004 S 16 非金属 16族（VIA） 3 p 1960 kg/m3 2 柠檬黄色 晶体常呈菱方双锥状或厚板状，由菱方双锥、菱方柱、板面等组成，通常呈致密块状、粉末状[5] 0.05% 30.065 100pm 102pm 180pm [氖]3s2 3p4 2，8，6 ±2、4、6（强酸性） 斜方晶 固态 388.36 K（115.21 °C） 717.87 K （444.72 °C） 15.53×10?6m3/mol 1.7175 kJ/mol 2.65×10?20 帕（388K） 2.58（鲍林标度） 710 J/(kg?K) 5.0 E-22 ×106/(米欧姆) 999.6 kJ/mol 2252 kJ/mol 3357 kJ/mol 4556 kJ/mol S-32（95.02%）、S-33（0.75%）、S-34（4.21%）和S-36（0.02%）， 维基百科 杨敏 肖葵
硼 Boron 10020005 B 5 类金属 13族（IIIＡ） 2 ｐ 2.34g/m3[5] ~9.5（莫氏硬度） 晶形硼是黑色，无定形硼是棕色 其单质有无定形和结晶形两种。前者呈棕黑色到黑色的粉末。后者呈乌黑色到银灰色，并有金属光泽[5] 0.001%[5] 10.811 90 pm 84±3 pm 192 pm [He] 2s2 2p1 ２，３ 4, 3, 2, 1(弱酸性氧化物) 菱面体晶 固态 2349 K,?2076 °C,?3769 °F 4200 K,?3927 °C,?7101 °F 4.6cm3/mol[5] 480 kJ/mol 50.2 kJ?mol?1 "1Pa(2348K),10Pa（2562K), 100Pa(2822K),1kPa(3141K),10kPa(3545K),100kPa(4072K)" (20 °C) 16,200 m/s（细棒） 2.04 （鲍林标度） (25 °C) 11.087 J?mol?1?K?1 800.6 kJ/mol 2427.1 kJ/mol 3659.7 kJ/mol 25025kJ/mol[5] 10B，11B (20 °C) ~106 Ω?m 维基百科 杨敏 肖葵
碳(金刚石) Carbon (diamond) 10020006 C 6 非金属 14族（IVＡ） 2 ｐ 2267 kg/m3 10 无色 0.09% 12.0107 70pm 77pm 170pm [氦]2s22p2 2,4 4，2（弱酸性） 立方 固态 3773 K（3550 °C） 5100 K（4827 °C） 5.29×10-6m3/mol 355.8 kJ/mol 0Pa 18350 m/s 2.55（鲍林标度） 710 J/(kg?K) 0.061×10-6/(米欧姆) 1086.5 kJ/mol 2352.6 kJ/mol 4620.5 kJ/mol 6222.7 kJ/mol 12C，13C，14C 1.64×107Ω?m 维基百科 杨敏 肖葵
锗 Germanium 10020007 Ge 32 类金属 14族（IVＡ） 4 p 5323 kg/m3 6 暗蓝色，灰白色 粉末状呈暗蓝色，结晶状，为银白色脆金属[5] 6×10-4% 72.64 125pm 122pm [氩]3d104s24p2 2，8，18，4 4（两性的) 面心立方晶格 固态 1211.4 K（938 °C） 3093 K（2820 °C） 13.63×10-6m3/mol 330.9 kJ/mol 36.94 kJ/mol 0.0000746 Pa（1210K） 5400 m/s（293.15K） 2.01（鲍林标度） 320J/(kg?K) 1.45 /(米欧姆) 762 kJ/mol 1537.5 kJ/mol 3302.1 kJ/mol 4411 kJ/mol 70Ge，72Ge，73Ge，74Ge 47Ω?cm(300K)[7] 维基百科 杨敏 肖葵
β-硒 β-Se 10020008 β-Se 34 VIA族 4 p 78.96 115（103）pm 116 pm 190 pm [氩]3d104s24p4 2，8，18，6 ±2，4，6（强酸性） 固态 2.48（鲍林标度） 941 kJ/mol 2045 kJ/mol 2973.7 kJ/mol 4144 kJ/mol 72Se，74Se，75Se，76Se，77Se，78Se，79Se，80Se，82Se 维基百科 杨敏 肖葵
碲 Tellurium 10020009 Te 52 类金属 16族（VIA） 5 p 6240 kg/m3 2.25 银灰色光泽 有光泽 1×10-6 % 127.6 140pm 135pm 206pm [氪]4d105s25p4 2，8，18，18，6 ±2，4，6（弱酸性） 六角形 固态 722.66 K（449.51 °C） 1261 K（988 °C） 20.46×10-6m3/mol 52.55 kJ/mol 17.49 kJ/mol 23.1 Pa（272.65K） 2610 m/s（293.15K） 2.1（鲍林标度） 202 J/(kg?K) 200/(米欧姆) 869.3 kJ/mol 1790 kJ/mol 2698 kJ/mol 3610 kJ/mol 120Te，122Te，123Te，124Te，125Te，126Te，128Te，130Te 0.005Ω?m 维基百科 杨敏 肖葵
碘 Iodine 10020010 I 53(平均原子虚实）[1] 卤素 17族（VIIＡ） 5 ｐ 4940 kg/m3(300K) NA 深紫灰色 带金属光泽 6×10?6% 126.90447 140pm 133pm 198pm [氪]4d105s25p5 2，8，18，18，7 ±1，5，7 正菱形 固态 386.85 K（113.70 °C） 457.4 K（184.2 °C） 25.72×10?6m3/mol 20.752 kJ/mol 7.824 kJ/mol 2.66 （鲍林标度） 145 J/(kg?K) 8.0×10?8/(米欧姆) 1008.4 kJ/mol 1845.9 kJ/mol 3180 kJ/mol 125I，127I，129I，131I 1.25×107Ω?m 维基百科 杨敏 肖葵
镓 Gallium 10020011 Ga 31(平均原子虚实）[1] 贫金属 13族（IIIA） 4 p 5904kg/m3 1.5 银白色 1×10-3% 69.723 130pm 126pm 187pm [氩]3d104s24p1 2，8，18，3 3（两性的） 正交晶格 固态 302.91 K（29.76 °C） 2477 K（2204 °C） 11.80×10-6m3/mol 258.7 kJ/mol 5.59 kJ/mol 9.31×10-36 Pa（302.9K） 2740 m/s（293.15K） 1.81（鲍林标度） 370 J/(kg?K) 6.78×106/(米欧姆) 578.8 kJ/mol 1979.3 kJ/mol 2963 kJ/mol 6180 kJ/mol 69Ga，71Ga 1.47×10-7Ω?m 维基百科 杨敏 肖葵
多晶硅 polycrystalline silicon 10460000 纯度达半导体级 pc-Si[1] 14 半导体材料 14族（IVＡ） 3 p 2.32~2.34g/cm3[5] 硬度介于锗和石英之间[5] 　灰色金属光泽[5] 有金属光泽 28.0855 110(111）pm（维基百科） [氖]3s23p2（维基百科） 2,8,4（维基百科） 4（两性的)（维基百科） 固态 1410℃[5] 2355℃[5] 8.43（纵波，[100]），5.84（横波,[100]）,9.13(纵波，[110]),4.67、5.84（横波，[110]），9.36(纵波，[111]),5.09(横波，[111]) 105cm/s[6] 1.90（鲍林标度）（维基百科) 10-4-10-5S/cm[1] 786.5 kJ/mol（维基百科） 1577.1 kJ/mol（维基百科） 3231.6 kJ/mol（维基百科） 4355.5 kJ/mol（维基百科） 28Si，29Si，30Si，32Si（维基百科） 非掺杂的多晶硅有很高的电阻率、一般为106～107Ω?cm,半绝缘多晶硅的电阻率可高达1010～1011Ω?cm[9] 材料大辞典 Materials Comprehensive Dictionary 杨敏 肖葵
西门子法多晶硅 polycrystalline silicon by Siemens process 10470000 纯度高，含硼小于0.lppba 14 半导体材料 14族（IVＡ） 3 p 28.0855 110(111）pm（维基百科） [氖]3s23p2（维基百科） 2,8,4（维基百科） 4（两性的)（维基百科） 固态 8.43（纵波，[100]），5.84（横波,[100]）,9.13(纵波，[110]),4.67、5.84（横波，[110]），9.36(纵波，[111]),5.09(横波，[111]) 105cm/s[6] 1.90（鲍林标度）（维基百科) 786.5 kJ/mol（维基百科） 1577.1 kJ/mol（维基百科） 3231.6 kJ/mol（维基百科） 4355.5 kJ/mol（维基百科） 28Si，29Si，30Si，32Si（维基百科） 材料大辞典 Materials Comprehensive Dictionary 刘阳 张深根
硅烷法多晶硅 polycrystalline silicon by silane process 10480000 纯度高，硼含量可降低至O.Olppba 14 半导体材料 14族（IVＡ） 3 p 28.0855 110(111）pm（维基百科） [氖]3s23p2（维基百科） 2,8,4（维基百科） 4（两性的)（维基百科） 固态 8.43（纵波，[100]），5.84（横波,[100]）,9.13(纵波，[110]),4.67、5.84（横波，[110]），9.36(纵波，[111]),5.09(横波，[111]) 105cm/s[6] 1.90（鲍林标度）（维基百科) 786.5 kJ/mol（维基百科） 1577.1 kJ/mol（维基百科） 3231.6 kJ/mol（维基百科） 4355.5 kJ/mol（维基百科） 28Si，29Si，30Si，32Si（维基百科） 材料大辞典 Materials Comprehensive Dictionary 韩丹丹 肖葵
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化合物信息材料基本性能表
材料名称 材料名称（英文） 材料类型编号 符号 密度(g/cm3) 熔点(℃) 沸点(℃) 晶体结构 物质状态 蒸汽压(KPa) 颜色 原子量 比热容（J/(kg*K)） 热导率（W*(m-1)*(K-1)） 电导率(/米欧姆) 电负性（鲍林标度） 比电阻（Ω*cm） 超导性 硬度（HV） 强度（MPa） 塑性（%） 杨氏模量（MPa） 刚性系数 体积弹性模量（MPa） 弹性系数 疲劳极限(Nf) 冲击韧性(J/cm2) 耐腐蚀性 耐氧化性 声速（m/s） 信息来源（中文） 信息来源（英文） 备注 录入人 审核人
Grade Grade_E Type Number Symbol Density Melting point Boiling point Crystal structure Phase Vapor pressure Color Standard Atomic Weight Specific Heat Capacity Thermal Conductivity Conductivity Electronegativity Specific Resistance Superconductivity Hardness Strength Plastic Young's Modulus Stiffness Coefficient Bulk Modulus Elasticity Fatigue Limit Toughness Corrosion Resistance Oxidation Resistance Sound Velocity Information Source-C Information Source-E Remarks keyboarder Reviewer
AlAs AlAs 10040001 AlAs 3.81 g/cm3 1740 °C 闪锌矿结构 固态 橙色晶体 101.9031[4] 0.5（电负性差)[1] 5.0GPa（努氏显微硬度）[6] 5.66（纵波，[100]），3.92（横波,[100]）,6.24(纵波，[110]),2.89、3.92（横波，[110]），6.43（纵波，[111]),3.27(横波，[111]) 105cm/s[6] 维基百科 杨敏
AlN AlN 10040002 AlN 3260 kg/ m-3 2200 °C 2517 °C 六角晶体结构 固态 8.0MPa[1] 40.9882[4] 740 J/(kg?K) 1.5(电负性差）[1] 800Kg?mm-2[4] 10127m?s-1(纵波声速）；6333m?s-1（剪力波声速）[4] 维基百科 杨敏
AlP AlP 10040003 AlP 2.42 g/cm? 2820°C[1] 闪锌矿结构（材料大辞典） 固态 黄色或灰色晶体 27.9553[4] 0.727J/(g?K)300K[6] 0.6(电负性差)[1] 5.5(Mohs)[1] 7.97（纵波，[100]），5.09（横波,[100]）,8.44(纵波，[110]),4.26、5.09（横波，[110]），8.59（纵波，[111]),4.56(横波，[111]) 105cm/s[6] 维基百科 缪友萍
AlSb AlSb 10040004 AlSb 4.26 g/cm3 1060 °C 2467 °C 闪锌矿 固态 4×10-3MPa[1] 黑色晶体 148.7315[4] 0.326J/(g?K)273K[6] 0.6(电负性差)[1] 4.0GPa（努氏显微硬度）[6] 4.53（纵波，[100]），3.09（横波,[100]）,4.99(纵波，[110]),2.28、3.09（横波，[110]），5.13（纵波，[111]),2.57(横波，[111]) 105cm/s[6] 维基百科 缪友萍
B2Se3 B2Se3 10040005 B2Se3 979K,983K[1] 三角[1] 258.5[4] 缪友萍
Bas Bas 10040006 BaS 4.25 g/cm3 (15°C) 1200°C 等轴晶系晶体 白色晶体 169.39[4] 维基百科 缪友萍
BN BN 10040007 BN 2.18g/cm3 3200 K[1] 六方或立方 固态 7×103MPa,N2压[1] 白色 22.8211[4] 约0.75（纤锌矿结构），约0.6（闪锌矿结构），约0.8（六方结构）J/(g?℃)[4] 1.0(电负性差)[1] 2(Mohs)[1] 15.4（VL，[100]),11.8(VT,[100]),16.9(V1,[110]),11.8(Vt∥,[110]),9.6(Vt⊥,[110]),17.4(V1′,[111]),10.4(Vt′,[111])105cm?s-1[4] 维基百科 缪友萍
BP BP 10040008 BP 2.97g/cm3[1] 3300K[1] 闪锌矿结构 固态 2.4MPa,P压[1] 41.7838[4] 0.75J/(g?K)300K[6] 0.1(电负性差）[1] 3.2GPa（努氏显微硬度）[6] 10（纵波，[100]），7.3（横波,[100]）,11(纵波，[110]),6.0、7.3（横波，[110]），11（纵波，[111]),6.5(横波，[111]) 105cm/s[6] 材料大辞典 Materials Comprehensive Dictionary 缪友萍
BSb BSb 10040009 BSb 闪锌矿结构 132.56[4] 0.1(电负性差）[1] 材料大辞典 Materials Comprehensive Dictionary 缪友萍
CdS CdS 10040010 CdS 4.83g/cm3[1] 1750K[1] 纤锌矿或闪锌矿 固态 385KPa[1] 144.47[4] 0.3280J/(g?K)300K[6] 3.0~3.5(Mohs)[1] 闪锌矿：3.98（纵波，[100]），2.20（横波,[100]）,4.28(纵波，[110]),1.54、2.20（横波，[110]），4.38（纵波，[111]),1.79(横波，[111])；纤锌矿：4.43（纵波，平行于c轴），1.76（横 波，平行于c轴），4.24（纵波，垂直于c轴），1.84、1.76（横波，垂于c轴）105cm/s[6] 缪友萍
CdSe CdSe 10040011 CdSe 5.67g/cm3[1] 1512K[1] 纤锌矿或闪锌矿 固态 42KPa[1] 191.37[4] 0.281J/(g?K)300K[6] 0.90GPa（努氏显微硬度）[6] 闪锌矿：3.43（纵波，[100]），1.98（横波,[100]）,3.73(纵波，[110]),1.34、1.98（横波，[110]），3.82（纵波，[111]),1.59(横波，[111])；纤锌矿：3.86（纵波，平行于c轴），1.54（横 波，平行于c轴），3.62（纵波，垂直于c轴），1.60、1.54（横波，垂于c轴）105cm/s[6] 缪友萍
CdTe CdTe 10040012 CdTe 5.86g/cm3 1098℃ 闪锌矿结构 固态 23.3KPa[1] 表面深灰色 240.01[4] 0.211J/(g?K)300K[6] 103～107Ω?cm 0.45~0.60GPa（努氏显微硬度）[6] 3.02（纵波，[100]），1.86（横波,[100]）,3.34(纵波，[110]),1.19、1.86（横波，[110]），3.44（纵波，[111]),1.45(横波，[111]) 105cm/s[6] 材料大辞典 Materials Comprehensive Dictionary 缪友萍
Cu2O Cu2O 10040013 Cu2O 6.04 1235 °C (1508 K) 1800 °C (2073 K) （分解） 立方晶系 固态 红棕色固体或橙黄色粉末 143.0914[4] 维基百科 缪友萍
CuBr CuBr 10040014 CuBr 4.71 g/cm3 室温为闪锌矿结构，加热依次转变为纤锌矿和立方型结构 固态 无色粉末，不纯时为绿色 143.45[4] 缪友萍
Ga2Te3 Ga2Te3 10040015 Ga2Te3 5.57g/cm3[1] 1063K[1] 闪锌矿[1] 固态 522.24[4] 缪友萍
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特殊性能表
材料名称 材料名称（英文） 材料类型编号 特殊性能 特殊性能编号 描述 单位 信息来源(中文） 信息来源（英文） 备注 录入人 审核人
Grade Grade_E Type Number Special Properties No. Special Properties Description Unit Information Source-C Information Source-E Remarks keyboarder Reviewer
硅单晶 monocrystalline silicon 10010000 本征载流子浓度 1002 1.45×1010 个?cm-3 材料大辞典 Materials Comprehensive Dictionary 刘阳 张深根
硅单晶 monocrystalline silicon 10010000 电子迁移率 1004 1500 cm2/V?g 材料大辞典 Materials Comprehensive Dictionary 刘阳 张深根
硅单晶 monocrystalline silicon 10010000 本征电阻率 1003 2.3×105 Ω?cm 材料大辞典 Materials Comprehensive Dictionary 刘阳 张深根
硅单晶 monocrystalline silicon 10010000 空穴迁移率 1005 450 cm2/V?s 材料大辞典 Materials Comprehensive Dictionary 刘阳 张深根
硅单晶 monocrystalline silicon 10010000 临界剪切应力 1016 1.85(接近熔点时) MPa 材料大辞典 Materials Comprehensive Dictionary 刘阳 张深根
硅单晶 monocrystalline silicon 10010000 热导率 1015 (300K)150 W/m?K 材料大辞典 Materials Comprehensive Dictionary 刘阳 张深根
硅单晶 monocrystalline silicon 10010000 禁带宽度 1012 1.12 eV 材料大辞典 Materials Comprehensive Dictionary 刘阳 张深根
硅 Silicon 10020001 热导率 1015 148 W/m?K 维基百科 类金属；深灰色、带蓝色调；地壳含量：25.7%；原子半径：110（111）pm，共价半径：111pm，范德华半径：210pm；固态 刘阳 张深根
硅 Silicon 10020001 电导率 1023 2.52×10-4 /(米欧姆) 维基百科 类金属；深灰色、带蓝色调；地壳含量：25.7%；原子半径：110（111）pm，共价半径：111pm，范德华半径：210pm；固态 刘阳 张深根
硅 Silicon 10020001 比热 1022 700 J/(kg?K) 维基百科 类金属；深灰色、带蓝色调；地壳含量：25.7%；原子半径：110（111）pm，共价半径：111pm，范德华半径：210pm；固态 刘阳 张深根
硅 Silicon 10020001 电负性 1021 1.9 鲍林标度 维基百科 类金属；深灰色、带蓝色调；地壳含量：25.7%；原子半径：110（111）pm，共价半径：111pm，范德华半径：210pm；固态 刘阳 张深根
硅 Silicon 10020001 沸点 1020 3173（2900?°C） K 维基百科 类金属；深灰色、带蓝色调；地壳含量：25.7%；原子半径：110（111）pm，共价半径：111pm，范德华半径：210pm；固态 刘阳 张深根
硅 Silicon 10020001 熔点 1019 1687（1414 °C） K 维基百科 类金属；深灰色、带蓝色调；地壳含量：25.7%；原子半径：110（111）pm，共价半径：111pm，范德华半径：210pm；固态 刘阳 张深根
硅 Silicon 10020001 硬度 1018 6.5 维基百科 类金属；深灰色、带蓝色调；地壳含量：25.7%；原子半径：110（111）pm，共价半径：111pm，范德华半径：210pm；固态 刘阳 张深根
硅 Silicon 10020001 密度 1017 2.33 g/cm3 维基百科 类金属；深灰色、带蓝色调；地壳含量：25.7%；原子半径：110（111）pm，共价半径：111pm，范德华半径：210pm；固态 刘阳 张深根
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特殊性能编号表
特殊性能名称 特殊性能名称（英文） 特殊性能编号 定义（描述） 单位 备注 录入人 审核人
Grade Grade_E No. Special Properties Definition Unit Remarks keyboarder Reviewer
介电常数 permittivity 1001 介质在外加电场时会产生感应电荷而削弱电场，原外加电场(真空中)与最终介质中电场比值 F/m 缪友萍 肖葵
本征载流子浓度 "Intrinsic carrier concentration" 1002 …是本征半导体中的载流子（电子和空穴）浓度，即不是由掺杂所产生出来的载流子载流子浓度 个?cm-3 缪友萍 肖葵
本征电阻率 "intrinsic resistivity" 1003 半导体本征态下的电阻率 Ω?cm 缪友萍 肖葵
电子迁移率 "Electron mobility" 1004 在单位电场作用下电子的平均漂移速度 cm2?(V?s)-1 缪友萍 肖葵
空穴迁移率 "hole mobility" 1005 在单位电场作用下空穴的平均漂移速度 cm2?(V?s)-1 缪友萍 肖葵
电子扩散系数 "Electron diffusion coefficient" 1006 表征电子在浓度梯度驱动下、从高浓度处往低浓度处运动快慢的一个物理量，等于单位浓度梯度作用下的粒子流密度 cm2?s-1 缪友萍 肖葵
空穴扩散系数 "Hole diffusion coefficient" 1007 表征空穴在浓度梯度驱动下、从高浓度处往低浓度处运动快慢的一个物理量，等于单位浓度梯度作用下的粒子流密度 cm2?s-1 缪友萍 肖葵
导带有效态密度 "Conduction band effective density of states" 1008 把导带中所有的量子态都集中到导带底时的态密度 cm-3 缪友萍 肖葵
价带有效态密度 "Valence band effective density of states" 1009 把价带中所有的量子态都集中到价带顶时的态密度 cm-3 缪友萍 肖葵
电子有效质量 "Electron effective mass" 1010 概括了半导体内部势场的作用，使得在解决半导体中电子在外力作用下的运动规律时，可以不涉及内部势场的作用。 mn* 缪友萍 肖葵
空穴有效质量 "Hole effective mass" 1011 把价带中空着的状态看成带正电的粒子，为空穴，起有效质量为正 mp* 缪友萍 肖葵
禁带宽度 Band gap 1012 导带底与价带顶之间的能量差 eV 缪友萍 肖葵
电子亲和能 "Electron affinity" 1013 原子获得电子释放出的能量值 V 缪友萍 肖葵
器件最高工作温度 The maximum operating temperature of device 1014 本征激发刚开始占主要地位时的温度，超过这一温度器件将不能正常工作 ℃ 缪友萍 肖葵
热导率 1015 是指材料直接传导热量的能力，或称热传导率。热导率定义为单位截面、长度的材料在单位温差下和单位时间内直接传导的热量 W/m?K 刘阳 张深根
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信息材料用途表
材料名称 材料名称（英文） 材料类型编号 用途 应用实例 信息来源(中文） 信息来源（英文） 备注 录入人 审核人
Grade Grade_E Type Number Application Application Example Information Source-C Information Source-E Remarks keyboarder Reviewer
灰砷 Grey?arsenic 10020002 高纯砷还用于半导体和激光技术中 http://www.hudong.com/wiki/砷 刘一凡 张深根
硫 Sulfur 10020004 它主要被用在肥料中，也广泛地被用在火药、润滑剂、杀虫剂和抗真菌剂中。 http://www.hudong.com/wiki/%E7%A1%AB&prd=button_doc_jinru 刘一凡 张深根
碳(金刚石) Carbon (diamond) 10020006 金刚石的用途非常广泛，例如：工艺品、工业中的切割工具。 http://baike.baidu.com/view/14770.htm 刘一凡 张深根
锗 Germanium 10020007 高纯度锗是从高纯度的氧化锗还原，再经区域熔炼提纯而得，最常用在半导体之中；掺有微量特定杂质的锗单晶，用来制造晶体管、整流器等；锗的化合物用于制造荧光板和各种高折光率的玻璃。 http://zh.wikipedia.org/wiki/%E9%94%97 刘一凡 张深根
碲 Tellurium 10020009 碲是制造碲化镉太阳能薄膜电池的主要原料。 http://www.hudong.com/wiki/%E7%A2%B2&prd=button_doc_jinru 刘一凡 张深根
碘 Iodine 10020010 碘酊（又称碘酒，为碘+碘化钾的酒精溶液）是一种紧急用的消毒剂。 http://zh.wikipedia.org/wiki/%E7%A2%98 刘一凡 张深根
镓 Gallium 10020011 镓可用作光学玻璃、合金、真空管等；砷化镓用在半导体之中，最常用作发光二极管（LED）。 http://zh.wikipedia.org/wiki/%E9%95%93 刘一凡 张深根
AlAs AlAs 10040001 砷化铝是一种半导体材料，它的晶格常数跟砷化镓类似。 http://zh.wikipedia.org/wiki/%E7%A0%B7%E5%8C%96%E9%93%9D 刘一凡 张深根
AlP AlP 10040003 磷化铝可以用在杀虫剂，但对人有剧毒；磷化铝又是能隙很宽的半导体。 http://zh.wikipedia.org/wiki/%E7%A3%B7%E5%8C%96%E9%93%9D 刘一凡 张深根
AlSb AlSb 10040004 一种半导体材料 http://zh.wikipedia.org/wiki/%E9%94%91%E5%8C%96%E9%93%9D 刘一凡 张深根
BN BN 10040007 类似于钻石的形体是现时所知的几乎最硬的物质，类似于石墨的形体是一种十分实用的润滑剂。 http://zh.wikipedia.org/wiki/%E6%B0%AE%E5%8C%96%E7%A1%BC 刘一凡 张深根
CdTe CdTe 10040012 这种半导体可以制造红外光学窗。此外，碲化镉在太阳能电池的制造方面也有广阔的应用前景。 http://zh.wikipedia.org/wiki/%E7%A2%B2%E5%8C%96%E9%95%89 刘一凡 张深根
Cu2O Cu2O 10040013 刘一凡 张深根
CuBr CuBr 10040014 冲印照片中作增强剂，在有机合成中充当卤化物 http://zh.wikipedia.org/wiki/%E6%BA%B4%E5%8C%96%E9%8A%85 刘一凡 张深根
GaAs GaAs 10040016 能带结构特殊，可作磊晶片。砷化镓可应用在WLAN、WLL、光纤通讯、卫星通讯、LMDS、VSAT等微波通讯上。 http://baike.baidu.com/view/1458121.htm 刘一凡 张深根
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信息材料其他信息表
材料名称 材料名称（英文） 材料类型编号 生产厂家 专利 相关文献 信息来源(中文） 信息来源（英文） 备注 录入人 审核人
Grade Grade_E Type Number Manufacturer Patents Related Literature Information Source-C Information Source-E Remarks keyboarder Reviewer
红磷 Red phosphorus 10020001 连云港鹏润化工有限公司 CN201110020953.0_ 成都理工大学 一种浅色微胶囊红磷的制备方法 王玄玉，红磷烟幕中红外光谱和红外消光性能研究,红外与毫米波学报，2006（05） http://www.hc360.com/cp/jiage/honglin.html 刘一凡 张深根
灰砷 Grey?arsenic 10020002 灰砷的提纯工艺 http://s.g.wanfangdata.com.cn/Paper.aspx?q=%E7%81%B0%E7%A0%B7&f=top 刘一凡 张深根
灰锑 Gray?antimony 10020003 锑的污染及其毒性效应和生物效应 http://s.g.wanfangdata.com.cn/Paper.aspx?q=%e7%81%b0%e9%94%91 刘一凡 张深根
碳(金刚石) Carbon (diamond) 10020006 铁基触媒中金刚石单晶的生长对初生渗碳体的消耗 http://d.g.wanfangdata.com.cn/Periodical_rgjtxb98200602036.aspx 刘一凡 张深根
锗 Germanium 10020007 CN201110103947.1_一种从提锗残渣中回收锗的方法 锗/多孔硅和锗/氧化硅薄膜光致发光的比较研究 http://d.g.wanfangdata.com.cn/Periodical_gpxygpfx200809018.aspx 刘一凡 张深根
β-硒 β-Se 10020008 Na2SO3浸出法提纯粗硒工艺研究 http://d.g.wanfangdata.com.cn/Periodical_xyjsclygc201101026.aspx 刘一凡 张深根
碲 Tellurium 10020009 CN201010583762.0_一种从低品位碲渣中综合回收有价金属的方法 刘一凡 张深根
碘 Iodine 10020010 CN201210132718.7_一种碘的回收装置 刘一凡 张深根
镓 Gallium 10020011 CN201110103840.7_一种由粉煤灰提取镓的方法 刘一凡 张深根
AlP AlP 10040003 磷化铝自然潮解环流熏蒸生产性试验报告 http://d.g.wanfangdata.com.cn/Periodical_lscc200002005.aspx 刘一凡 张深根
AlSb AlSb 10040004 锑化铝太阳电池研究进展 http://d.g.wanfangdata.com.cn/Conference_7359774.aspx 刘一凡 张深根
Cu2O Cu2O 10040013 CN200910030819.1_一种Cu2O中空亚微球应用于低毒海洋防污涂料的制备方法 纳米Cu2O的制备及其对高氯酸铵热分解的催化性能 http://d.g.wanfangdata.com.cn/Periodical_cuihuaxb200408010.aspx 刘一凡 张深根
HgS HgS 10040021 量子点量子阱ZnS/HgS/ZnS/CdS的制备与光学特性 http://d.g.wanfangdata.com.cn/Periodical_gncl200001017.aspx 刘一凡 张深根
SiC SiC 10040035 高固含量碳化硅/炭黑料浆制备工艺研究 http://d.g.wanfangdata.com.cn/Periodical_xyjsclygc2009z2034.aspx 刘一凡 张深根
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相关文件下载
材料名称 材料名称（英文） 材料类型编号 相关文件 备注 录入人 审核人
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硅 silicon wafer 10540000 uploadFiles/information/guicailiao.xls 缪友萍 肖葵
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